F899MR07W1D7B11ABPSA1

Infineon Technologies
726-F899MR07W1D7B11A
F899MR07W1D7B11ABPSA1

Herst.:

Beschreibung:
MOSFET-Module EasyPACK 1B module with CoolMOS CFD7A Automotive MOSFET and PressFIT / NTC

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Infineon
Produktkategorie: MOSFET-Module
RoHS:  
Press Fit
EasyPACK
N-Channel
650 V
12 A
119 mOhms
30 V
4.45 V
- 40 C
+ 150 C
20 mW
EasyPACK 1B
Tray
Marke: Infineon Technologies
Abfallzeit: 10 ns
Produkt: Modules
Produkt-Typ: MOSFET Modules
Anstiegszeit: 26 ns
Verpackung ab Werk: 24
Unterkategorie: Discrete and Power Modules
Handelsname: CoolMOS
Regelabschaltverzögerungszeit: 76 ns
Typische Einschaltverzögerungszeit: 159 ns
Vf - Durchlassspannung: 1.05 V
Artikel # Aliases: F8-99MR07W1D7_B11/A SP005742275
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Ausgewählte Attribute: 0

CAHTS:
8541210000
USHTS:
8541210095
JPHTS:
854121000
TARIC:
8541210000
MXHTS:
8541210100
ECCN:
EAR99

EasyPACK™ 1B-IGBT-Leistungsmodule

Infineon Technologies EasyPACK™ 1 B IGBT Leistungsmodule sind ein skalierbares Leistungsmodul mit einem flexiblen Raster-Stiftsystem, das sich perfekt für die Anpassung des Layouts und der PinbelegungPinbelegung eignet. Die Gehäuse verfügen über keine Basisplatte, was den Einsatz in verschiedenen Applikationen ermöglicht. Die Infineon EasyPACK 1 B IGBT- Leistungsmodule decken den gesamten Leistungsbereich von 20 A bis 100 A bei 600V/650V/1200V in PIM- oder Six-Pack-Konfigurationen ab. Diese Module bieten einen Verlustleistungsbereich Bereich 135 W bis 275 W und arbeiten von -40°C bis +150°C oder +175°C.