CY14V101QS-SE108XI

Infineon Technologies
727-CY14V101QSSE108X
CY14V101QS-SE108XI

Herst.:

Beschreibung:
NVRAM 1-Mbit (128KX8) Quad SPI nvSRAM

Datenblatt:
ECAD Model:
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Alternativverpackung

Herst. Teilenr.:
CY14V101QS-SE108XIT
Verpackung:
Reel, Cut Tape
Verfügbarkeit:
Auf Lager
Preis:
CHF 14.21
Min:
1

Produktattribut Attributwert Attribut auswählen
Infineon
Produktkategorie: NVRAM
RoHS:  
SOIC-16
SPI
1 Mbit
128 k x 8
8 bit
3.6 V
2.7 V
33 mA
- 40 C
+ 85 C
CY14V101
Tube
Marke: Infineon Technologies
Feuchtigkeitsempfindlich: Yes
Montageart: SMD/SMT
Pd - Verlustleistung: 1 W
Produkt-Typ: NVRAM
Verpackung ab Werk: 230
Unterkategorie: Memory & Data Storage
Gewicht pro Stück: 666 mg
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Ausgewählte Attribute: 0

Datenblatt

CNHTS:
8542319090
CAHTS:
8542320041
USHTS:
8542320071
JPHTS:
854232029
KRHTS:
8542321020
TARIC:
8542329000
MXHTS:
8542320201
ECCN:
3A991.b.2.b

CY14V101 1-Mb Quad SPI nvSRAM

Der CY14V101 1-Mbit (128K × 8) Quad SPI nvSRAM von Cypress Semiconductor CY14V101 1-Mbit (128K × 8) Quad SPI nvSRAM verbindet einen 1Mbit-nvSRAM mit einer QPI-Schnittstelle. Mithilfe von spezifischen Befehlscodes ermöglicht die QPI das Schreiben und Lesen des Speichers in entweder einem Einzel- (ein E/A-Kanal für einen Bit pro Taktzyklus), Dual- (zwei E/A-Kanäle für zwei Bits pro Taktzyklus) oder Quad-SPI (vier E/A-Kanäle für vier Bits pro Taktzyklus). Der Speicher ist in 128Kbytes organisiert und besteht aus SRAM und nichtflüchtigen SONOS FLASH Quantum Trap-Zellen. Der SRAM bietet unbegrenzte Lese- und Schreibzyklen, während die nicht flüchtigen Zellen den Datenspeicher bereitstellen. Die Datenübertragung vom SRAM zu den nicht flüchtigen Zellen (STORE-Funktion) erfolgt beim Herunterfahren automatisch. Bei Hochfahren werden die Daten im SRAM von den nicht flüchtigen Zellen (RECALL-Funktion) wiederhergestellt. Benutzer können die STORE- und RECALL-Funktionen auch über SPI-Befehle auslösen.
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