Scheinbar haben Sie Javascript in Ihrem Browser deaktiviert. Einige Funktionen auf dieser Seite funktionieren nur, wenn Sie sich anmelden.

Wird ein Fehler angezeigt?

AIMDQ75R040M2HXTMA1

Name: Infineon AIMDQ75R040M2HXTMA1
Brand: Infineon Technologies
SKU: 726-AIMDQ75R040M2HXT
Price: 7.32 CHF
Availability: InStock

Bilder dienen lediglich der Veranschaulichung und sind nicht Originalgetreu
Siehe Produktspezifikationen

Mouser-Nr.:

726-AIMDQ75R040M2HXT

Herst.- Nr.:

AIMDQ75R040M2HXTMA1

Herst.:

Infineon Technologies

Beschreibung:

SiC-MOSFETs CoolSiC Automotive MOSFET 750 V G2 in Q-DPAK

Lebenszyklus:

Neues Produkt:

Neu von diesem Hersteller.

Datenblatt:

AIMDQ75R040M2HXTMA1 Datenblatt (PDF)

ECAD Model:

Den kostenlosen Library Loader herunterladen, um diese Datei für Ihr ECAD Tool zu konvertieren. Weitere Infos zu ECAD-Modell.

Mehr über

Weitere Informationen zu Infineon Technologies AIMDQ75R040M2HXTMA1

Auf Lager: 66

Lagerbestand:: 66 sofort lieferbar

Ein unerwarteter Fehler ist aufgetreten. Bitte versuchen Sie es später noch einmal.
Lieferzeit ab Hersteller:: 53 Wochen Geschätzte Produktionszeit des Werks für Mengen, die größer als angezeigt sind.

Menge eingeben:

Minimum: 1 Vielfache: 1

Stückpreis:

CHF -.--

Erw. Preis:

CHF -.--

Vorauss. Zolltarif:

Preis (CHF)

Menge	Stückpreis	Erw. Preis
	CHF 7.32	CHF 7.32
	CHF 5.45	CHF 54.50
	CHF 4.54	CHF 454.00
	CHF 3.98	CHF 1 990.00
Ganzes Reel (Sie bestellen ein Vielfaches von 750)
	CHF 3.59	CHF 2 692.50
	CHF 3.58	CHF 8 055.00
9 750	Kostenvoranschlag

.hidden-for-nojs { display: none; } .pull-right-nojs { justify-content: flex-end; }

Produktattribut	Attributwert	Attribut auswählen
Hersteller:	Infineon
Produktkategorie:	SiC-MOSFETs
RoHS:
Montageart:	SMD/SMT
Verpackung/Gehäuse:	PG-HDSOP-22
Transistorpolung:	N-Channel
Anzahl der Kanäle:	1 Channel
Vds - Drain-Source-Durchschlagspannung:	750 V
Id - Drain-Gleichstrom:	45 A
Rds On - Drain-Source-Widerstand:	50 mOhms
Vgs - Gate-Source-Spannung:	- 7 V, + 23 V
Vgs th - Gate-Source-Schwellspannung:	5.6 V
Qg - Gate-Ladung:	30 nC
Minimale Betriebstemperatur:	- 55 C
Maximale Betriebstemperatur:	+ 175 C
Pd - Verlustleistung:	182 W
Kanalmodus:	Enhancement
Handelsname:	CoolSiC
Marke:	Infineon Technologies
Konfiguration:	Single
Abfallzeit:	6 ns
Durchlassleitwert (Vorwärtstranskonduktanz) min.:	13 S
Verpackung:	Reel
Verpackung:	Cut Tape
Produkt:	SiC MOSFET
Produkt-Typ:	SiC MOSFETS
Anstiegszeit:	7 ns
Serie:	CoolSiC G2
Verpackung ab Werk:	750
Unterkategorie:	Transistors
Technologie:	SiC
Transistorart:	1 N-Channel
Typ:	Automotive MOSFET
Regelabschaltverzögerungszeit:	15 ns
Typische Einschaltverzögerungszeit:	8 ns
Artikel # Aliases:	AIMDQ75R040M2H SP006089213

Produkte gefunden:

Um ähnliche Produkte anzuzeigen, wählen Sie mindestens ein Kontrollkästchen aus

Um ähnliche Produkte in dieser Kategorie anzuzeigen, wählen Sie mindestens ein Kontrollkästchen oben aus.

Ausgewählte Attribute: 0

Dokument filtern:

Datenblatt

AIMDQ75R040M2HXTMA1 Datenblatt (PDF)

CAHTS:: 8541290000
USHTS:: 8541290065
JPHTS:: 854129000
TARIC:: 8541290000
MXHTS:: 8541299900
ECCN:: EAR99

CoolSiC™ Fahrzeug 750 V G2 MOSFETs

Die™ Fahrzeug 750 V MOSFETs von Infineon Technologies sind so konstruiert, dass sie den strengen Anforderungen von Applikationen in Elektrofahrzeugen (EV) wie Umrichter, Onboard- Ladegeräten (OBC) und Hochspannungs -DC/DC- Wandlern gerecht werden. Diese MOSFETs aus Siliciumcarbid (SiC) bieten einen außergewöhnlichen Wirkungsgrad, eine hohe Leistungsdichte und ein hervorragendes Betriebsverhalten, was die Entwicklung von E-Mobilitätssystemen der nächsten Generation ermöglicht. Mit einer Nennspannung von 750 V und der Technologie der zweiten Generation CoolSiC™ bieten diese Bauteile ein verbessertes Schaltverhalten und geringere Verluste im Vergleich zu Siliziumlösungen. Das Portfolio umfasst einen Bereich von RDS_(on)-Werten von 9 mΩ bis 78 mΩ und bietet Designern somit Flexibilität bei der Optimierung von Leitungs- und Betriebsverhalten.