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2EDN8524RXTMA1

Name: Infineon 2EDN8524RXTMA1
Brand: Infineon Technologies
SKU: 726-2EDN8524RXTMA1
Price: 0.86 CHF
Availability: InStock

Bilder dienen lediglich der Veranschaulichung und sind nicht Originalgetreu
Siehe Produktspezifikationen

Mouser-Nr.:

726-2EDN8524RXTMA1

Herst.- Nr.:

2EDN8524RXTMA1

Herst.:

Infineon Technologies

Beschreibung:

Gate-Treiber LOW SIDE DRIVERS

Datenblatt:

2EDN8524RXTMA1 Datenblatt (PDF)

ECAD Model:

Den kostenlosen Library Loader herunterladen, um diese Datei für Ihr ECAD Tool zu konvertieren. Weitere Infos zu ECAD-Modell.

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Menge	Stückpreis	Erw. Preis
	0.864 CHF	0.86 CHF
	0.623 CHF	6.23 CHF
	0.563 CHF	14.08 CHF
	0.497 CHF	49.70 CHF
	0.466 CHF	116.50 CHF
	0.446 CHF	223.00 CHF
	0.435 CHF	435.00 CHF
	0.424 CHF	1 060.00 CHF
Ganzes Reel (Sie bestellen ein Vielfaches von 5000)
	0.404 CHF	2 020.00 CHF

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Produktattribut	Attributwert	Attribut auswählen
Hersteller:	Infineon
Produktkategorie:	Gate-Treiber
RoHS:
Produkt:	IGBT, MOSFET Gate Drivers
Typ:	Low-Side
Montageart:	SMD/SMT
Verpackung/Gehäuse:	TSSOP-8
Anzahl der Treiber:	2 Driver
Anzahl der Ausgänge:	2 Output
Ausgangsstrom:	5 A
Versorgungsspannung - Min.:	4.5 V
Versorgungsspannung - Max.:	20 V
Konfiguration:	Non-Inverting
Anstiegszeit:	5.3 ns
Abfallzeit:	4.5 ns
Minimale Betriebstemperatur:	- 40 C
Maximale Betriebstemperatur:	+ 150 C
Verpackung:	Reel
Verpackung:	Cut Tape
Marke:	Infineon Technologies
Eingangsspannung – Max:	20 V
Eingangsspannung – Min:	- 5 V
Logiktyp:	TTL
Betriebsversorgungsstrom:	700 uA
Produkt-Typ:	Gate Drivers
Verzögerungszeit - Max.:	23 ns
Rds On - Drain-Source-Widerstand:	1 Ohms
Verpackung ab Werk:	5000
Unterkategorie:	PMIC - Power Management ICs
Technologie:	GaN
Artikel # Aliases:	2EDN8524R SP001584368

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Datenblatt

2EDN8524RXTMA1 Datenblatt (PDF)

Product Catalogs

Infineon's Latest Power and Sensing Guide (PDF)

Konformitätscodes

USHTS:: 8542310075
ECCN:: EAR99

Ursprungsklassifikationen

Ursprungsland:: Deutschland
Herstellungsland:: China
Land der Verbreitung:: Deutschland

Zum Zeitpunkt der Lieferung kann sich das Land ändern.

EiceDRIVER™ Gate-Treiber-ICs

Infineon EiceDRIVER™ Gate-Treiber-ICs sind für MOSFETs, IGBTs, SiC-MOSFETs und GaN-HEMTs-Bauteile ausgelegt. EiceDRIVER™ Gate-Treiber bieten eine große Auswahl von typischen Ausgangsstromoptionen von 0,1 μA bis 10 μA. Diese Bauteile verfügen über robuste Gate-Treiber-Schutzfunktionen, wie z. B. schnelle Kurzschluss-Sicherung (DESAT), aktive Miller-Klemme, Durchzündungsschutz, Fehler-, Abschalt- und Überstromschutz. Diese Funktionen machen diese Treiber-ICs ideal für Silizium- und Breitbandlücken-Leistungsbauteile, einschließlich CoolGaN™ und CoolSiC™. Aus diesem Grund bietet der Infineon mehr als 500 EiceDRIVER™ Gate-Treiber-IC-Lösungen, die sich für jeden Leistungsschalter und jede Applikation eignen.

DC-EV-Ladelösungen

Die DC-EV-Ladelösungen von Infineon sind ein Portfolio von Halbleitern mit hohem Wirkungsgrad, die der steigenden Nachfrage nach schnelleren Batterieladesystemen in Elektrofahrzeugen (EV) gerecht werden. Aufgrund ihrer schnelleren Ladezeiten sind DC-Ladestationen derzeit die attraktivere Lösung als herkömmliche AC-EV-Ladestationen. Mit einer 120-kW-DC-Ladesäule kann nahezu 80 % einer Batterie in 30 Minuten geladen werden. Mit der Weiterentwicklung von Schnellladetechnologien wird sich die Ladezeit noch weiter verkürzen. Die Entwicklung einer erfolgreichen DC-EV-Versorgung kann jedoch eine schwierige Aufgabe sein. Die Designs müssen zur Verkürzung der Ladezeiten eine verbesserte Ausgangsleistung bieten, die Leistungsdichte innerhalb einer Gruppe von Ladestationen erhöhen, den Wirkungsgrad durch Erhöhung der Lasten verbessern und die Verlustleistung verringern. Infineon ist in der Lage, EV-Ladelösungen zu bieten, die Kilowatt- bis Megawatt-Leistungsbereiche abdecken und Hochspannungs-MOSFETs, SIC-Dioden, Mikrocontroller, AC/DC-Leistungsumwandlung und Gatetreiber-ICs umfassen.