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IXTY02N120P

IXYS

Bilder dienen lediglich der Veranschaulichung und sind nicht Originalgetreu
Siehe Produktspezifikationen

Mouser-Nr.:

747-IXTY02N120P

Herst.- Nr.:

IXTY02N120P

Herst.:

IXYS

Beschreibung:

MOSFETs 0.2Amps 1200V

Datenblatt:

IXTY02N120P Datenblatt

ECAD Model:

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	1.95 CHF	19.50 CHF
	1.41 CHF	98.70 CHF
	1.18 CHF	660.80 CHF
	1.10 CHF	1 155.00 CHF
	1.09 CHF	2 746.80 CHF

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Produktattribut	Attributwert	Attribut auswählen
Hersteller:	IXYS
Produktkategorie:	MOSFETs
Technologie:	Si
Montageart:	SMD/SMT
Verpackung/Gehäuse:	DPAK-3 (TO-252-3)
Transistorpolung:	N-Channel
Anzahl der Kanäle:	1 Channel
Vds - Drain-Source-Durchschlagspannung:	1.2 kV
Id - Drain-Gleichstrom:	200 mA
Rds On - Drain-Source-Widerstand:	75 Ohms
Vgs - Gate-Source-Spannung:	- 20 V, 20 V
Minimale Betriebstemperatur:	- 55 C
Maximale Betriebstemperatur:	+ 150 C
Pd - Verlustleistung:	33 W
Verpackung:	Tube
Marke:	IXYS
Konfiguration:	Single
Produkt-Typ:	MOSFETs
Serie:	IXTY02N120
Verpackung ab Werk:	70
Unterkategorie:	Transistors
Transistorart:	1 N-Channel
Gewicht pro Stück:	330 mg

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Datenblatt

IXTY02N120P Datenblatt

PCN

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Konformitätscodes

CNHTS:: 8541290000
TARIC:: 8541290000
CAHTS:: 8541290000
USHTS:: 8541290065
JPHTS:: 8541290100
KRHTS:: 8541299000
MXHTS:: 85412999
ECCN:: EAR99

Ursprungsklassifikationen

Ursprungsland:: Korea, Republik von
Herstellungsland:: Nicht lieferbar
Land der Verbreitung:: Nicht lieferbar

Zum Zeitpunkt der Lieferung kann sich das Land ändern.

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