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IXTQ52P10P

Name: IXYS IXTQ52P10P
Brand: IXYS
SKU: 747-IXTQ52P10P
Price: 8.4 CHF
Availability: InStock

Bilder dienen lediglich der Veranschaulichung und sind nicht Originalgetreu
Siehe Produktspezifikationen

Mouser-Nr.:

747-IXTQ52P10P

Herst.- Nr.:

IXTQ52P10P

Herst.:

IXYS

Beschreibung:

MOSFETs -52.0 Amps -100V 0.050 Rds

Datenblatt:

IXTQ52P10P Datenblatt

ECAD Model:

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Hersteller:	IXYS
Produktkategorie:	MOSFETs
RoHS:
Technologie:	Si
Montageart:	Through Hole
Verpackung/Gehäuse:	TO-3P-3
Transistorpolung:	P-Channel
Anzahl der Kanäle:	1 Channel
Vds - Drain-Source-Durchschlagspannung:	100 V
Id - Drain-Gleichstrom:	52 A
Rds On - Drain-Source-Widerstand:	50 mOhms
Vgs - Gate-Source-Spannung:	- 20 V, 20 V
Vgs th - Gate-Source-Schwellspannung:	4 V
Qg - Gate-Ladung:	60 nC
Minimale Betriebstemperatur:	- 55 C
Maximale Betriebstemperatur:	+ 150 C
Pd - Verlustleistung:	300 W
Kanalmodus:	Enhancement
Handelsname:	PolarP
Verpackung:	Tube
Marke:	IXYS
Konfiguration:	Single
Abfallzeit:	22 ns
Durchlassleitwert (Vorwärtstranskonduktanz) min.:	12 S
Produkt-Typ:	MOSFETs
Anstiegszeit:	29 ns
Serie:	IXTQ52P10
Verpackung ab Werk:	30
Unterkategorie:	Transistors
Transistorart:	1 P-Channel
Regelabschaltverzögerungszeit:	38 ns
Typische Einschaltverzögerungszeit:	22 ns
Gewicht pro Stück:	1,600 g

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Datenblatt

IXTQ52P10P Datenblatt

PCN

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Konformitätscodes

CNHTS:: 8541290000
TARIC:: 8541290000
CAHTS:: 8541290000
USHTS:: 8541290065
JPHTS:: 8541290100
KRHTS:: 8541299000
MXHTS:: 85412999
ECCN:: EAR99

Ursprungsklassifikationen

Ursprungsland:: Korea, Republik von
Herstellungsland:: Nicht lieferbar
Land der Verbreitung:: Nicht lieferbar

Zum Zeitpunkt der Lieferung kann sich das Land ändern.

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