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IXTQ32P20T

Name: IXYS IXTQ32P20T
Brand: IXYS
SKU: 747-IXTQ32P20T
Price: 4.05 CHF
Availability: OutOfStock

Bilder dienen lediglich der Veranschaulichung und sind nicht Originalgetreu
Siehe Produktspezifikationen

Mouser-Nr.:

747-IXTQ32P20T

Herst.- Nr.:

IXTQ32P20T

Herst.:

IXYS

Datenblatt:

ECAD Model:

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Hersteller:	IXYS
Produktkategorie:	MOSFETs
RoHS:
Technologie:	Si
Montageart:	Through Hole
Verpackung/Gehäuse:	TO-3P-3
Transistorpolung:	P-Channel
Anzahl der Kanäle:	1 Channel
Vds - Drain-Source-Durchschlagspannung:	200 V
Id - Drain-Gleichstrom:	32 A
Rds On - Drain-Source-Widerstand:	130 mOhms
Vgs - Gate-Source-Spannung:	- 15 V, 15 V
Vgs th - Gate-Source-Schwellspannung:	2 V
Qg - Gate-Ladung:	185 nC
Minimale Betriebstemperatur:	- 55 C
Maximale Betriebstemperatur:	+ 150 C
Pd - Verlustleistung:	300 W
Kanalmodus:	Enhancement
Verpackung:	Tube
Marke:	IXYS
Konfiguration:	Single
Abfallzeit:	12 ns
Produkt-Typ:	MOSFETs
Anstiegszeit:	15 ns
Verpackung ab Werk:	30
Unterkategorie:	Transistors
Transistorart:	1 P-Channel
Regelabschaltverzögerungszeit:	57 ns
Typische Einschaltverzögerungszeit:	32 ns
Gewicht pro Stück:	1,600 g