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IXTP76P10T

Name: IXYS IXTP76P10T
Brand: IXYS
SKU: 747-IXTP76P10T
Price: 7.38 CHF
Availability: InStock

Bilder dienen lediglich der Veranschaulichung und sind nicht Originalgetreu
Siehe Produktspezifikationen

Mouser-Nr.:

747-IXTP76P10T

Herst.- Nr.:

IXTP76P10T

Herst.:

IXYS

Beschreibung:

MOSFETs TO220 100V 76A P-CH TRENCH

Datenblatt:

IXTP76P10T Datenblatt

ECAD Model:

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	4.25 CHF	42.50 CHF
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Produktattribut	Attributwert	Attribut auswählen
Hersteller:	IXYS
Produktkategorie:	MOSFETs
RoHS:
Technologie:	Si
Montageart:	Through Hole
Verpackung/Gehäuse:	TO-220-3
Transistorpolung:	P-Channel
Anzahl der Kanäle:	1 Channel
Vds - Drain-Source-Durchschlagspannung:	100 V
Id - Drain-Gleichstrom:	76 A
Rds On - Drain-Source-Widerstand:	24 mOhms
Vgs - Gate-Source-Spannung:	- 15 V, 15 V
Vgs th - Gate-Source-Schwellspannung:	2 V
Qg - Gate-Ladung:	197 nC
Minimale Betriebstemperatur:	- 55 C
Maximale Betriebstemperatur:	+ 150 C
Pd - Verlustleistung:	298 W
Kanalmodus:	Enhancement
Verpackung:	Tube
Marke:	IXYS
Konfiguration:	Single
Abfallzeit:	20 ns
Durchlassleitwert (Vorwärtstranskonduktanz) min.:	35 S
Produkt-Typ:	MOSFETs
Anstiegszeit:	40 ns
Serie:	IXTP76P10
Verpackung ab Werk:	50
Unterkategorie:	Transistors
Transistorart:	1 P-Channel
Regelabschaltverzögerungszeit:	52 ns
Typische Einschaltverzögerungszeit:	25 ns
Gewicht pro Stück:	2 g

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Datenblatt

IXTP76P10T Datenblatt

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Konformitätscodes

CNHTS:: 8541290000
TARIC:: 8541290000
CAHTS:: 8541290000
USHTS:: 8541290065
JPHTS:: 8541290100
KRHTS:: 8541299000
MXHTS:: 85412999
ECCN:: EAR99

Ursprungsklassifikationen

Ursprungsland:: Korea, Republik von
Herstellungsland:: Nicht lieferbar
Land der Verbreitung:: Nicht lieferbar

Zum Zeitpunkt der Lieferung kann sich das Land ändern.

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