Scheinbar haben Sie Javascript in Ihrem Browser deaktiviert. Einige Funktionen auf dieser Seite funktionieren nur, wenn Sie sich anmelden.

Wird ein Fehler angezeigt?

IXTP6N100D2

Name: IXYS IXTP6N100D2
Brand: IXYS
SKU: 747-IXTP6N100D2
Price: 9.94 CHF
Availability: InStock

Bilder dienen lediglich der Veranschaulichung und sind nicht Originalgetreu
Siehe Produktspezifikationen

Mouser-Nr.:

747-IXTP6N100D2

Herst.- Nr.:

IXTP6N100D2

Herst.:

IXYS

Beschreibung:

MOSFETs N-CH MOSFETS (D2) 1000V 6A

Datenblatt:

IXTP6N100D2 Datenblatt

ECAD Model:

Den kostenlosen Library Loader herunterladen, um diese Datei für Ihr ECAD Tool zu konvertieren. Weitere Infos zu ECAD-Modell.

Mehr über

Weitere Informationen zu IXYS IXTP6N100D2

Auf Lager: 428

Lagerbestand:: 428 sofort lieferbar

Ein unerwarteter Fehler ist aufgetreten. Bitte versuchen Sie es später noch einmal.
Lieferzeit ab Hersteller:: 32 Wochen Geschätzte Produktionszeit des Werks für Mengen, die größer als angezeigt sind.

Menge eingeben:

Minimum: 1 Vielfache: 1

Stückpreis:

-.-- CHF

Erw. Preis:

-.-- CHF

Vorauss. Zolltarif:

Preis (CHF)

Menge	Stückpreis	Erw. Preis
	9.94 CHF	9.94 CHF
	6.03 CHF	60.30 CHF
	5.26 CHF	526.00 CHF

.hidden-for-nojs { display: none; } .pull-right-nojs { justify-content: flex-end; }

Produktattribut	Attributwert	Attribut auswählen
Hersteller:	IXYS
Produktkategorie:	MOSFETs
RoHS:
Technologie:	Si
Montageart:	Through Hole
Verpackung/Gehäuse:	TO-220-3
Transistorpolung:	N-Channel
Anzahl der Kanäle:	1 Channel
Vds - Drain-Source-Durchschlagspannung:	1 kV
Id - Drain-Gleichstrom:	6 A
Rds On - Drain-Source-Widerstand:	2.2 Ohms
Vgs - Gate-Source-Spannung:	- 20 V, 20 V
Vgs th - Gate-Source-Schwellspannung:	2.5 V
Qg - Gate-Ladung:	95 nC
Minimale Betriebstemperatur:	- 55 C
Maximale Betriebstemperatur:	+ 150 C
Pd - Verlustleistung:	300 W
Kanalmodus:	Depletion
Verpackung:	Tube
Marke:	IXYS
Konfiguration:	Single
Abfallzeit:	47 ns
Durchlassleitwert (Vorwärtstranskonduktanz) min.:	2.6 S
Produkt-Typ:	MOSFETs
Anstiegszeit:	80 ns
Serie:	IXTP6N100
Verpackung ab Werk:	50
Unterkategorie:	Transistors
Transistorart:	1 N-Channel
Regelabschaltverzögerungszeit:	34 ns
Typische Einschaltverzögerungszeit:	25 ns
Gewicht pro Stück:	2 g

Produkte gefunden:

Um ähnliche Produkte anzuzeigen, wählen Sie mindestens ein Kontrollkästchen aus

Um ähnliche Produkte in dieser Kategorie anzuzeigen, wählen Sie mindestens ein Kontrollkästchen oben aus.

Ausgewählte Attribute: 0

Dokument filtern:

Datenblatt

IXTP6N100D2 Datenblatt

Für diese Funktionalität ist die Aktivierung von JavaScript erforderlich.

Konformitätscodes

CNHTS:: 8541290000
TARIC:: 8541900000
CAHTS:: 8541290000
USHTS:: 8541290065
JPHTS:: 8541290100
KRHTS:: 8541299000
MXHTS:: 8541900299
ECCN:: EAR99

Ursprungsklassifikationen

Ursprungsland:: Korea, Republik von
Herstellungsland:: Nicht lieferbar
Land der Verbreitung:: Nicht lieferbar

Zum Zeitpunkt der Lieferung kann sich das Land ändern.

D2-Baureihe n-Kanal-Verarmungstyp-Leistungs-MOSFETs

Die IXYS D2-Baureihe 100-V- bis 1.700-V-n-Kanal-Verarmungstyp-Leistungs-MOSFETs sind Verarmungstyp-Bauteile, die in einem „Normalerweise Eingeschaltet“-Modus betrieben werden und am Gate-Anschluss keine Spannung zum Einschalten erfordern. Die Baureihe bietet Sperrspannungen von bis zu 1.700 V und niedrige Drain-zu-Quelle-Widerstände für eine einfachere Steuerung und eine geringere Verlustleistung in ununterbrochen eingeschalteten Systemen (z. B. in Notfall- oder Einbruchmeldeanlagen).