IXTP3N50D2

IXYS
747-IXTP3N50D2
IXTP3N50D2

Herst.:

Beschreibung:
MOSFETs N-CH MOSFETS (D2) 500V 3A

ECAD Model:
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IXYS
Produktkategorie: MOSFETs
RoHS:  
Si
Through Hole
TO-220-3
N-Channel
1 Channel
500 V
3 A
1.5 Ohms
- 20 V, 20 V
4.5 V
40 nC
- 55 C
+ 150 C
125 W
Depletion
Tube
Marke: IXYS
Konfiguration: Single
Abfallzeit: 42 ns
Durchlassleitwert (Vorwärtstranskonduktanz) min.: 1.3 S
Produkt-Typ: MOSFETs
Anstiegszeit: 71 ns
Serie: IXTP3N50
Verpackung ab Werk: 50
Unterkategorie: Transistors
Transistorart: 1 N-Channel
Regelabschaltverzögerungszeit: 56 ns
Typische Einschaltverzögerungszeit: 27 ns
Gewicht pro Stück: 2 g
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Ausgewählte Attribute: 0

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Konformitätscodes
CNHTS:
8541290000
TARIC:
8541900000
CAHTS:
8541290000
USHTS:
8541290065
JPHTS:
8541290100
KRHTS:
8541299000
MXHTS:
8541900299
ECCN:
EAR99
Ursprungsklassifikationen
Ursprungsland:
Korea, Republik von
Herstellungsland:
Korea, Republik von
Land der Verbreitung:
Nicht lieferbar
Zum Zeitpunkt der Lieferung kann sich das Land ändern.

D2-Baureihe n-Kanal-Verarmungstyp-Leistungs-MOSFETs

Die IXYS D2-Baureihe 100-V- bis 1.700-V-n-Kanal-Verarmungstyp-Leistungs-MOSFETs sind Verarmungstyp-Bauteile, die in einem „Normalerweise Eingeschaltet“-Modus betrieben werden und am Gate-Anschluss keine Spannung zum Einschalten erfordern. Die Baureihe bietet Sperrspannungen von bis zu 1.700 V und niedrige Drain-zu-Quelle-Widerstände für eine einfachere Steuerung und eine geringere Verlustleistung in ununterbrochen eingeschalteten Systemen (z. B. in Notfall- oder Einbruchmeldeanlagen).