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IXTP26P10T

Name: IXYS IXTP26P10T
Brand: IXYS
SKU: 747-IXTP26P10T
Price: 2.27 CHF
Availability: OutOfStock

Bilder dienen lediglich der Veranschaulichung und sind nicht Originalgetreu
Siehe Produktspezifikationen

Mouser-Nr.:

747-IXTP26P10T

Herst.- Nr.:

IXTP26P10T

Herst.:

IXYS

Datenblatt:

ECAD Model:

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Hersteller:	IXYS
Produktkategorie:	MOSFETs
RoHS:
Technologie:	Si
Montageart:	Through Hole
Verpackung/Gehäuse:	TO-220-3
Transistorpolung:	P-Channel
Anzahl der Kanäle:	1 Channel
Vds - Drain-Source-Durchschlagspannung:	100 V
Id - Drain-Gleichstrom:	26 A
Rds On - Drain-Source-Widerstand:	90 mOhms
Vgs - Gate-Source-Spannung:	- 15 V, 15 V
Vgs th - Gate-Source-Schwellspannung:	4.5 V
Qg - Gate-Ladung:	52 nC
Minimale Betriebstemperatur:	- 55 C
Maximale Betriebstemperatur:	+ 150 C
Pd - Verlustleistung:	150 W
Kanalmodus:	Enhancement
Verpackung:	Tube
Marke:	IXYS
Konfiguration:	Single
Abfallzeit:	1 ns
Durchlassleitwert (Vorwärtstranskonduktanz) min.:	17 S
Produkt-Typ:	MOSFETs
Anstiegszeit:	15 ns
Serie:	IXTP26P10
Verpackung ab Werk:	50
Unterkategorie:	Transistors
Transistorart:	1 P-Channel
Regelabschaltverzögerungszeit:	37 ns
Typische Einschaltverzögerungszeit:	20 ns
Gewicht pro Stück:	2 g