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IXTP230N04T4M

Name: IXYS IXTP230N04T4M
Brand: IXYS
SKU: 747-IXTP230N04T4M
Price: 3.82 CHF
Availability: OutOfStock

Bilder dienen lediglich der Veranschaulichung und sind nicht Originalgetreu
Siehe Produktspezifikationen

Mouser-Nr.:

747-IXTP230N04T4M

Herst.- Nr.:

IXTP230N04T4M

Herst.:

IXYS

Beschreibung:

MOSFETs Disc MSFT NChTrenchGate-Gen4 TO-220AB/FP

Datenblatt:

IXTP230N04T4M Datenblatt

ECAD Model:

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	3.82 CHF	3.82 CHF
	2.50 CHF	25.00 CHF
	1.85 CHF	185.00 CHF
	1.56 CHF	780.00 CHF
	1.45 CHF	1 450.00 CHF
	1.35 CHF	3 375.00 CHF

.hidden-for-nojs { display: none; } .pull-right-nojs { justify-content: flex-end; }

Produktattribut	Attributwert	Attribut auswählen
Hersteller:	IXYS
Produktkategorie:	MOSFETs
RoHS:
Technologie:	Si
Montageart:	Through Hole
Verpackung/Gehäuse:	TO-220-3
Transistorpolung:	N-Channel
Vds - Drain-Source-Durchschlagspannung:	40 V
Id - Drain-Gleichstrom:	230 A
Rds On - Drain-Source-Widerstand:	2.9 mOhms
Vgs - Gate-Source-Spannung:	- 15 V, 15 V
Vgs th - Gate-Source-Schwellspannung:	2 V
Minimale Betriebstemperatur:	- 55 C
Maximale Betriebstemperatur:	+ 175 C
Pd - Verlustleistung:	340 W
Handelsname:	HiPerFET
Verpackung:	Tube
Marke:	IXYS
Konfiguration:	Single
Abfallzeit:	82 ns
Produkt-Typ:	MOSFETs
Anstiegszeit:	143 ns
Verpackung ab Werk:	50
Unterkategorie:	Transistors
Regelabschaltverzögerungszeit:	85 ns
Typische Einschaltverzögerungszeit:	40 ns
Gewicht pro Stück:	2 g

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Datenblatt

IXTP230N04T4M Datenblatt

PCN

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Konformitätscodes

CNHTS:: 8541290000
USHTS:: 8541290065
TARIC:: 8541290000
ECCN:: EAR99

Ursprungsklassifikationen

Ursprungsland:: Korea, Republik von
Herstellungsland:: Nicht lieferbar
Land der Verbreitung:: Nicht lieferbar

Zum Zeitpunkt der Lieferung kann sich das Land ändern.

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