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IXTP1R6N100D2

Name: IXYS IXTP1R6N100D2
Brand: IXYS
SKU: 747-IXTP1R6N100D2
Price: 3.75 CHF
Availability: InStock

Bilder dienen lediglich der Veranschaulichung und sind nicht Originalgetreu
Siehe Produktspezifikationen

Mouser-Nr.:

747-IXTP1R6N100D2

Herst.- Nr.:

IXTP1R6N100D2

Herst.:

IXYS

Beschreibung:

MOSFETs N-CH MOSFETS (D2) 1000V 1.6A

Datenblatt:

IXTP1R6N100D2 Datenblatt

ECAD Model:

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Hersteller:	IXYS
Produktkategorie:	MOSFETs
RoHS:
Technologie:	Si
Montageart:	Through Hole
Verpackung/Gehäuse:	TO-220-3
Transistorpolung:	N-Channel
Anzahl der Kanäle:	1 Channel
Vds - Drain-Source-Durchschlagspannung:	1 kV
Id - Drain-Gleichstrom:	1.6 A
Rds On - Drain-Source-Widerstand:	10 Ohms
Vgs - Gate-Source-Spannung:	- 20 V, 20 V
Vgs th - Gate-Source-Schwellspannung:	4.5 V
Qg - Gate-Ladung:	27 nC
Minimale Betriebstemperatur:	- 55 C
Maximale Betriebstemperatur:	+ 150 C
Pd - Verlustleistung:	100 W
Kanalmodus:	Depletion
Verpackung:	Tube
Marke:	IXYS
Konfiguration:	Single
Land der Bestückung:	Not Available
Land der Verbreitung:	Not Available
Ursprungsland:	KR
Produkt-Typ:	MOSFETs
Serie:	IXTP1R6N100
Verpackung ab Werk:	50
Unterkategorie:	Transistors
Transistorart:	1 N-Channel
Gewicht pro Stück:	2 g

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Datenblatt

IXTP1R6N100D2 Datenblatt

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CNHTS:: 8541290000
CAHTS:: 8541900000
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TARIC:: 8541900000
MXHTS:: 8541900299
ECCN:: EAR99

D2-Baureihe n-Kanal-Verarmungstyp-Leistungs-MOSFETs

Die IXYS D2-Baureihe 100-V- bis 1.700-V-n-Kanal-Verarmungstyp-Leistungs-MOSFETs sind Verarmungstyp-Bauteile, die in einem „Normalerweise Eingeschaltet“-Modus betrieben werden und am Gate-Anschluss keine Spannung zum Einschalten erfordern. Die Baureihe bietet Sperrspannungen von bis zu 1.700 V und niedrige Drain-zu-Quelle-Widerstände für eine einfachere Steuerung und eine geringere Verlustleistung in ununterbrochen eingeschalteten Systemen (z. B. in Notfall- oder Einbruchmeldeanlagen).