IXTP08N100P

IXYS
747-IXTP08N100P
IXTP08N100P

Herst.:

Beschreibung:
MOSFETs 0.8 Amps 1000V 20 Rds

ECAD Model:
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IXYS
Produktkategorie: MOSFETs
RoHS:  
Si
Through Hole
TO-220-3
N-Channel
1 Channel
1 kV
800 mA
20 Ohms
- 20 V, 20 V
4 V
11.3 nC
- 55 C
+ 150 C
42 W
Enhancement
Tube
Marke: IXYS
Konfiguration: Single
Abfallzeit: 34 ns
Produkt-Typ: MOSFETs
Anstiegszeit: 37 ns
Serie: IXTP08N100
Verpackung ab Werk: 50
Unterkategorie: Transistors
Transistorart: 1 N-Channel
Regelabschaltverzögerungszeit: 35 ns
Typische Einschaltverzögerungszeit: 19 ns
Gewicht pro Stück: 2 g
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Ausgewählte Attribute: 0

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Konformitätscodes
CNHTS:
8541290000
CAHTS:
8541290000
USHTS:
8541290065
JPHTS:
8541290100
KRHTS:
8541299000
TARIC:
8541290000
MXHTS:
85412999
ECCN:
EAR99
Ursprungsklassifikationen
Ursprungsland:
Korea, Republik von
Herstellungsland:
Nicht lieferbar
Land der Verbreitung:
Nicht lieferbar
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