IXTP08N100D2

IXYS
747-IXTP08N100D2
IXTP08N100D2

Herst.:

Beschreibung:
MOSFETs N-CH MOSFETS 1000V 800MA

ECAD Model:
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IXYS
Produktkategorie: MOSFETs
RoHS:  
Si
Through Hole
TO-220-3
N-Channel
1 Channel
1 kV
800 mA
21 Ohms
- 20 V, 20 V
4 V
14.6 nC
- 55 C
+ 150 C
60 W
Depletion
Tube
Marke: IXYS
Konfiguration: Single
Land der Bestückung: Not Available
Land der Verbreitung: Not Available
Ursprungsland: KR
Abfallzeit: 48 ns
Durchlassleitwert (Vorwärtstranskonduktanz) min.: 330 mS
Produkt-Typ: MOSFETs
Anstiegszeit: 57 ns
Serie: IXTP08N100
Verpackung ab Werk: 50
Unterkategorie: Transistors
Transistorart: 1 N-Channel
Regelabschaltverzögerungszeit: 34 ns
Typische Einschaltverzögerungszeit: 28 ns
Gewicht pro Stück: 2 g
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Ausgewählte Attribute: 0

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CNHTS:
8541290000
TARIC:
8541290000
CAHTS:
8541290000
USHTS:
8541290065
JPHTS:
8541290100
KRHTS:
8541299000
MXHTS:
85412999
ECCN:
EAR99

D2-Baureihe n-Kanal-Verarmungstyp-Leistungs-MOSFETs

Die IXYS D2-Baureihe 100-V- bis 1.700-V-n-Kanal-Verarmungstyp-Leistungs-MOSFETs sind Verarmungstyp-Bauteile, die in einem „Normalerweise Eingeschaltet“-Modus betrieben werden und am Gate-Anschluss keine Spannung zum Einschalten erfordern. Die Baureihe bietet Sperrspannungen von bis zu 1.700 V und niedrige Drain-zu-Quelle-Widerstände für eine einfachere Steuerung und eine geringere Verlustleistung in ununterbrochen eingeschalteten Systemen (z. B. in Notfall- oder Einbruchmeldeanlagen).