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IXTN660N04T4

Bilder dienen lediglich der Veranschaulichung und sind nicht Originalgetreu
Siehe Produktspezifikationen

Mouser-Nr.:

747-IXTN660N04T4

Herst.- Nr.:

IXTN660N04T4

Herst.:

IXYS

Beschreibung:

MOSFET-Module 40V/660A TrenchT4 Power MOSFET

Lebenszyklus:

abgekündigt

Datenblatt:

IXTN660N04T4 Datenblatt

ECAD Model:

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Versandmeldung:

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Hersteller:	IXYS
Produktkategorie:	MOSFET-Module
Versandbeschränkungen:	Mouser verkauft dieses Produkt nicht in Ihre Region.
RoHS:
Technologie:	Si
Montageart:	Screw Mount
Verpackung/Gehäuse:	SOT-227-4
Transistorpolung:	N-Channel
Anzahl der Kanäle:	1 Channel
Vds - Drain-Source-Durchschlagspannung:	40 V
Id - Drain-Gleichstrom:	660 A
Rds On - Drain-Source-Widerstand:	850 uOhms
Vgs - Gate-Source-Spannung:	- 15 V, + 15 V
Vgs th - Gate-Source-Schwellspannung:	2 V
Minimale Betriebstemperatur:	- 55 C
Maximale Betriebstemperatur:	+ 175 C
Pd - Verlustleistung:	1.04 mW
Serie:	Gen4
Verpackung:	Tube
Marke:	IXYS
Konfiguration:	Single
Abfallzeit:	260 ns
Produkt-Typ:	MOSFET Modules
Anstiegszeit:	430 ns
Verpackung ab Werk:	10
Unterkategorie:	Discrete and Power Modules
Handelsname:	HiPerFET
Typ:	Trench
Regelabschaltverzögerungszeit:	386 ns
Typische Einschaltverzögerungszeit:	40 ns
Vr - Sperrspannung:	30 V
Gewicht pro Stück:	30 g

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Ausgewählte Attribute: 0

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Datenblatt

IXTN660N04T4 Datenblatt

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Konformitätscodes

CNHTS:: 8541290000
CAHTS:: 8541290000
USHTS:: 8541290065
JPHTS:: 8541290100
KRHTS:: 8541299000
TARIC:: 8541290000
MXHTS:: 85412999
ECCN:: EAR99

Ursprungsklassifikationen

Ursprungsland:: Korea, Republik von
Herstellungsland:: Nicht lieferbar
Land der Verbreitung:: Nicht lieferbar

Zum Zeitpunkt der Lieferung kann sich das Land ändern.

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