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IXTN22N100L

Name: IXYS IXTN22N100L
Brand: IXYS
SKU: 747-IXTN22N100L
Price: 61.84 CHF
Availability: InStock

Bilder dienen lediglich der Veranschaulichung und sind nicht Originalgetreu
Siehe Produktspezifikationen

Mouser-Nr.:

747-IXTN22N100L

Herst.- Nr.:

IXTN22N100L

Herst.:

IXYS

Beschreibung:

MOSFET-Module 22 Amps 1000V

Datenblatt:

IXTN22N100L Datenblatt

ECAD Model:

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	61.84 CHF	61.84 CHF
	52.55 CHF	525.50 CHF
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Produktattribut	Attributwert	Attribut auswählen
Hersteller:	IXYS
Produktkategorie:	MOSFET-Module
RoHS:
Technologie:	Si
Montageart:	Screw Mount
Verpackung/Gehäuse:	SOT-227-4
Transistorpolung:	N-Channel
Anzahl der Kanäle:	1 Channel
Vds - Drain-Source-Durchschlagspannung:	1 kV
Id - Drain-Gleichstrom:	22 A
Rds On - Drain-Source-Widerstand:	600 mOhms
Vgs - Gate-Source-Spannung:	- 30 V, + 30 V
Vgs th - Gate-Source-Schwellspannung:	5 V
Minimale Betriebstemperatur:	- 55 C
Maximale Betriebstemperatur:	+ 150 C
Pd - Verlustleistung:	700 W
Serie:	IXTN22N100
Verpackung:	Tube
Marke:	IXYS
Konfiguration:	Single
Abfallzeit:	50 ns
Höhe:	12.22 mm
Länge:	38.23 mm
Produkt-Typ:	MOSFET Modules
Anstiegszeit:	35 ns
Verpackung ab Werk:	10
Unterkategorie:	Discrete and Power Modules
Typ:	Linear Power MOSFET
Regelabschaltverzögerungszeit:	80 ns
Typische Einschaltverzögerungszeit:	36 ns
Vr - Sperrspannung:	100 V
Breite:	25.42 mm
Gewicht pro Stück:	30 g

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Datenblatt

IXTN22N100L Datenblatt

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Konformitätscodes

CNHTS:: 8541590000
CAHTS:: 8541290000
USHTS:: 8541290065
JPHTS:: 854129000
KRHTS:: 8541299000
TARIC:: 8541290000
MXHTS:: 8541299900
ECCN:: EAR99

Ursprungsklassifikationen

Ursprungsland:: Korea, Republik von
Herstellungsland:: Nicht lieferbar
Land der Verbreitung:: Nicht lieferbar

Zum Zeitpunkt der Lieferung kann sich das Land ändern.

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