Scheinbar haben Sie Javascript in Ihrem Browser deaktiviert. Einige Funktionen auf dieser Seite funktionieren nur, wenn Sie sich anmelden.

Wird ein Fehler angezeigt?

IXTH96N20P

Name: IXYS IXTH96N20P
Brand: IXYS
SKU: 747-IXTH96N20P
Price: 10.02 CHF
Availability: OutOfStock

Bilder dienen lediglich der Veranschaulichung und sind nicht Originalgetreu
Siehe Produktspezifikationen

Mouser-Nr.:

747-IXTH96N20P

Herst.- Nr.:

IXTH96N20P

Herst.:

IXYS

Beschreibung:

MOSFETs 96 Amps 200V 0.024 Rds

Datenblatt:

IXTH96N20P Datenblatt

ECAD Model:

Den kostenlosen Library Loader herunterladen, um diese Datei für Ihr ECAD Tool zu konvertieren. Weitere Infos zu ECAD-Modell.

Mehr über

Weitere Informationen zu IXYS IXTH96N20P

Verfügbarkeit

Lagerbestand:: 0

Sie können dieses Produkt immer noch nachbestellen.

Ein unerwarteter Fehler ist aufgetreten. Bitte versuchen Sie es später noch einmal.
Auf Bestellung:: 505

erwartet ab 19.10.2026
Lieferzeit ab Hersteller:: 27

Wochen Geschätzte Produktionszeit des Werks für Mengen, die größer als angezeigt sind.

Menge eingeben:

Minimum: 1 Vielfache: 1

Stückpreis:

-.-- CHF

Erw. Preis:

-.-- CHF

Vorauss. Zolltarif:

Preis (CHF)

Menge	Stückpreis	Erw. Preis
	10.02 CHF	10.02 CHF
	7.35 CHF	73.50 CHF
	5.63 CHF	675.60 CHF
	5.48 CHF	2 794.80 CHF

.hidden-for-nojs { display: none; } .pull-right-nojs { justify-content: flex-end; }

Produktattribut	Attributwert	Attribut auswählen
Hersteller:	IXYS
Produktkategorie:	MOSFETs
RoHS:
Technologie:	Si
Montageart:	Through Hole
Verpackung/Gehäuse:	TO-247-3
Transistorpolung:	N-Channel
Anzahl der Kanäle:	1 Channel
Vds - Drain-Source-Durchschlagspannung:	200 V
Id - Drain-Gleichstrom:	96 A
Rds On - Drain-Source-Widerstand:	24 mOhms
Vgs - Gate-Source-Spannung:	- 20 V, 20 V
Vgs th - Gate-Source-Schwellspannung:	5 V
Qg - Gate-Ladung:	145 nC
Minimale Betriebstemperatur:	- 55 C
Maximale Betriebstemperatur:	+ 175 C
Pd - Verlustleistung:	600 W
Kanalmodus:	Enhancement
Handelsname:	PolarHT
Verpackung:	Tube
Marke:	IXYS
Konfiguration:	Single
Abfallzeit:	30 ns
Durchlassleitwert (Vorwärtstranskonduktanz) min.:	40 S
Produkt-Typ:	MOSFETs
Anstiegszeit:	30 ns
Serie:	IXTH96N20
Verpackung ab Werk:	30
Unterkategorie:	Transistors
Transistorart:	1 N-Channel
Regelabschaltverzögerungszeit:	75 ns
Typische Einschaltverzögerungszeit:	28 ns
Gewicht pro Stück:	6 g

Produkte gefunden:

Um ähnliche Produkte anzuzeigen, wählen Sie mindestens ein Kontrollkästchen aus

Um ähnliche Produkte in dieser Kategorie anzuzeigen, wählen Sie mindestens ein Kontrollkästchen oben aus.

Ausgewählte Attribute: 0

Dokument filtern:

Datenblatt

IXTH96N20P Datenblatt

PCN

Product Change Notification (PDF)

Für diese Funktionalität ist die Aktivierung von JavaScript erforderlich.

Konformitätscodes

CNHTS:: 8541290000
TARIC:: 8541500000
CAHTS:: 8541290000
USHTS:: 8541290065
JPHTS:: 8541290100
KRHTS:: 8541299000
MXHTS:: 85415001
ECCN:: EAR99

Ursprungsklassifikationen

Ursprungsland:: Korea, Republik von
Herstellungsland:: Nicht lieferbar
Land der Verbreitung:: Nicht lieferbar

Zum Zeitpunkt der Lieferung kann sich das Land ändern.

AC-Ladegeräte für Elektrofahrzeuge

Obwohl AC-Ladestationen im Vergleich zu DC-Ladegeräten weniger komplex sind, liefern sie trotzdem eine sichere AC-Leistung vom Stromnetz ins Fahrzeug. Aufgrund der Platz- und Gewichtsbeschränkungen im Fahrzeug bieten On-Board-Ladegeräte und AC-Ladestationen normalerweise eine geringere Leistung (höchstens 22 kW). Dies führt zu einem langsameren Laden, das mehrere Stunden dauert. Außerdem sind diese Systeme vom On-Board-Ladegerät eines Fahrzeugs zur Umwandlung von AC-Leistung vom Stromnetz in eine DC-Leistung zum Laden der Fahrzeugbatterie abhängig. Es ist wichtig, dass angemessene Maßnahmen zum Schutz des Ladegeräts sowie des Fahrzeugs ergriffen werden.