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IXTH4N150

IXYS

Bilder dienen lediglich der Veranschaulichung und sind nicht Originalgetreu
Siehe Produktspezifikationen

Mouser-Nr.:

747-IXTH4N150

Herst.- Nr.:

IXTH4N150

Herst.:

IXYS

Beschreibung:

MOSFETs High Voltage Power MOSFET

Datenblatt:

IXTH4N150 Datenblatt

ECAD Model:

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Hersteller:	IXYS
Produktkategorie:	MOSFETs
RoHS:
Technologie:	Si
Montageart:	Through Hole
Verpackung/Gehäuse:	TO-247-3
Transistorpolung:	N-Channel
Anzahl der Kanäle:	1 Channel
Vds - Drain-Source-Durchschlagspannung:	1.5 kV
Id - Drain-Gleichstrom:	4 A
Rds On - Drain-Source-Widerstand:	6 Ohms
Vgs - Gate-Source-Spannung:	- 30 V, 30 V
Vgs th - Gate-Source-Schwellspannung:	2.5 V
Qg - Gate-Ladung:	44.5 nC
Minimale Betriebstemperatur:	- 55 C
Maximale Betriebstemperatur:	+ 150 C
Pd - Verlustleistung:	280 W
Kanalmodus:	Enhancement
Verpackung:	Tube
Marke:	IXYS
Konfiguration:	Single
Produkt-Typ:	MOSFETs
Serie:	IXTH4N150
Verpackung ab Werk:	30
Unterkategorie:	Transistors
Gewicht pro Stück:	6 g

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Datenblatt

IXTH4N150 Datenblatt

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Konformitätscodes

CNHTS:: 8541290000
CAHTS:: 8541900000
USHTS:: 8541290065
JPHTS:: 8542900006
TARIC:: 8541900000
MXHTS:: 8541900299
ECCN:: EAR99

Ursprungsklassifikationen

Ursprungsland:: Philippinen
Herstellungsland:: Nicht lieferbar
Land der Verbreitung:: Nicht lieferbar

Zum Zeitpunkt der Lieferung kann sich das Land ändern.

High Voltage IEEE 1500V+ Discrete Semiconductors Transistors

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650 V HiPerFET™ -Leistungs-MOSFET der X2-Klasse mit 100 mΩ und n-Kanal-Anreicherungstyp.