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IXTH180N10T

Name: IXYS IXTH180N10T
Brand: IXYS
SKU: 747-IXTH180N10T
Price: 8.28 CHF
Availability: InStock

Bilder dienen lediglich der Veranschaulichung und sind nicht Originalgetreu
Siehe Produktspezifikationen

Mouser-Nr.:

747-IXTH180N10T

Herst.- Nr.:

IXTH180N10T

Herst.:

IXYS

Beschreibung:

MOSFETs 180 Amps 100V 6.1 Rds

Datenblatt:

IXTH180N10T Datenblatt

ECAD Model:

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	5.65 CHF	56.50 CHF
	4.66 CHF	559.20 CHF
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Hersteller:	IXYS
Produktkategorie:	MOSFETs
RoHS:
Technologie:	Si
Montageart:	Through Hole
Verpackung/Gehäuse:	TO-247-3
Transistorpolung:	N-Channel
Anzahl der Kanäle:	1 Channel
Vds - Drain-Source-Durchschlagspannung:	100 V
Id - Drain-Gleichstrom:	180 A
Rds On - Drain-Source-Widerstand:	6.4 mOhms
Minimale Betriebstemperatur:	- 55 C
Maximale Betriebstemperatur:	+ 175 C
Pd - Verlustleistung:	480 W
Kanalmodus:	Enhancement
Handelsname:	HiPerFET
Verpackung:	Tube
Marke:	IXYS
Konfiguration:	Single
Abfallzeit:	31 ns
Produkt-Typ:	MOSFETs
Anstiegszeit:	54 ns
Serie:	IXTH180N10
Verpackung ab Werk:	30
Unterkategorie:	Transistors
Transistorart:	1 N-Channel
Regelabschaltverzögerungszeit:	42 ns
Typische Einschaltverzögerungszeit:	33 ns
Gewicht pro Stück:	6 g

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Datenblatt

IXTH180N10T Datenblatt

PCN

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Konformitätscodes

CNHTS:: 8541290000
CAHTS:: 8541290000
USHTS:: 8541290065
JPHTS:: 8541290100
KRHTS:: 8541299000
TARIC:: 8541500000
MXHTS:: 85415001
ECCN:: EAR99

Ursprungsklassifikationen

Ursprungsland:: Korea, Republik von
Herstellungsland:: Nicht lieferbar
Land der Verbreitung:: Nicht lieferbar

Zum Zeitpunkt der Lieferung kann sich das Land ändern.

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