Scheinbar haben Sie Javascript in Ihrem Browser deaktiviert. Einige Funktionen auf dieser Seite funktionieren nur, wenn Sie sich anmelden.

Wird ein Fehler angezeigt?

IXSJ43N120R1

Name: IXYS IXSJ43N120R1
Brand: IXYS
SKU: 747-IXSJ43N120R1
Price: 15.11 CHF
Availability: InStock

Bilder dienen lediglich der Veranschaulichung und sind nicht Originalgetreu
Siehe Produktspezifikationen

Mouser-Nr.:

747-IXSJ43N120R1

Herst.- Nr.:

IXSJ43N120R1

Herst.:

IXYS

Beschreibung:

SiC-MOSFETs 1200V 36mohm (43A a. 25C) SiC MOSFET in isolated TO247-3L

Lebenszyklus:

Neues Produkt:

Neu von diesem Hersteller.

Datenblatt:

IXSJ43N120R1 Datenblatt (PDF)

ECAD Model:

Den kostenlosen Library Loader herunterladen, um diese Datei für Ihr ECAD Tool zu konvertieren. Weitere Infos zu ECAD-Modell.

Mehr über

Weitere Informationen zu IXYS IXSJ43N120R1

Auf Lager: 478

Lagerbestand:: 478 sofort lieferbar

Ein unerwarteter Fehler ist aufgetreten. Bitte versuchen Sie es später noch einmal.
Lieferzeit ab Hersteller:: 32 Wochen Geschätzte Produktionszeit des Werks für Mengen, die größer als angezeigt sind.

Menge eingeben:

Minimum: 1 Vielfache: 1

Stückpreis:

CHF -.--

Erw. Preis:

CHF -.--

Vorauss. Zolltarif:

Preis (CHF)

Menge	Stückpreis	Erw. Preis
	CHF 15.11	CHF 15.11
	CHF 12.10	CHF 121.00
	CHF 10.46	CHF 1 255.20
5 010	Kostenvoranschlag

.hidden-for-nojs { display: none; } .pull-right-nojs { justify-content: flex-end; }

Produktattribut	Attributwert	Attribut auswählen
Hersteller:	IXYS
Produktkategorie:	SiC-MOSFETs
RoHS:
Montageart:	Through Hole
Verpackung/Gehäuse:	TO-247-3L
Transistorpolung:	N-Channel
Anzahl der Kanäle:	1 Channel
Vds - Drain-Source-Durchschlagspannung:	1.2 kV
Id - Drain-Gleichstrom:	45 A
Rds On - Drain-Source-Widerstand:	47 mOhms
Vgs - Gate-Source-Spannung:	- 4 V, + 21 V
Vgs th - Gate-Source-Schwellspannung:	4.8 V
Qg - Gate-Ladung:	79 nC
Minimale Betriebstemperatur:	- 40 C
Maximale Betriebstemperatur:	+ 150 C
Pd - Verlustleistung:	142 W
Kanalmodus:	Enhancement
Marke:	IXYS
Konfiguration:	Single
Abfallzeit:	10 ns
Durchlassleitwert (Vorwärtstranskonduktanz) min.:	16 S
Verpackung:	Tube
Produkt:	Power MOSFETs
Produkt-Typ:	SiC MOSFETS
Anstiegszeit:	30 ns
Verpackung ab Werk:	30
Unterkategorie:	Transistors
Technologie:	SiC
Transistorart:	1 N-Channel
Typ:	Power MOSFET
Regelabschaltverzögerungszeit:	32 ns
Typische Einschaltverzögerungszeit:	15 ns

Produkte gefunden:

Um ähnliche Produkte anzuzeigen, wählen Sie mindestens ein Kontrollkästchen aus

Um ähnliche Produkte in dieser Kategorie anzuzeigen, wählen Sie mindestens ein Kontrollkästchen oben aus.

Ausgewählte Attribute: 0

Dokument filtern:

Datenblatt

IXSJ43N120R1 Datenblatt (PDF)

Für diese Funktionalität ist die Aktivierung von JavaScript erforderlich.

CNHTS:: 8541290000
CAHTS:: 8541290000
USHTS:: 8541290065
JPHTS:: 854129000
TARIC:: 8541290000
MXHTS:: 8541299900
ECCN:: EAR99

IXSJxN120R1 SiC-Leistungs-MOSFETs mit 1.200 V

Die 1200-V-Siliziumkarbid (SiC)-Leistungs-MOSFETs IXSJxN120R1 von Littelfuse sind Hochleistungsbauelemente, die für anspruchsvolle Stromwandlungsapplikationen entwickelt wurden. Die IXSJxN120R1 MOSFETs von Littelfuse nutzen die überlegenen Eigenschaften der SiC-Technologie, um geringe Schaltverluste, einen hohen Wirkungsgrad und eine hervorragende thermische Leistung zu erzielen. Der IXSJ25N120R1 bietet einen typischen R_DS(on) von 80 mΩ und ist für Applikationen mit niedrigerem Stromverbrauch optimiert, während IXSJ43N120R1 und IXSJ80N120R1 niedrigere Einschaltwiderstandswerte von 45 mΩ bzw. 20 mΩ aufweisen und somit höhere Strombelastbarkeiten unterstützen. Alle drei Bauteile zeichnen sich durch schnelle Schaltgeschwindigkeiten, eine robuste Avalanche-Fähigkeit und einen Kelvin-Source-Pin zur verbesserten Gate-Treiber-Steuerung aus. Diese Eigenschaften machen die IXSJxN120R1-Baureihe ideal für den Einsatz in Umrichtern für Elektrofahrzeuge, Solarwechselrichtern, industriellen Motorantrieben und hocheffizienten Stromversorgungen.