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IXSG110N65L2K

Name: IXYS IXSG110N65L2K
Brand: IXYS
SKU: 747-IXSG110N65L2K
Price: 9.01 CHF
Availability: InStock

Bilder dienen lediglich der Veranschaulichung und sind nicht Originalgetreu
Siehe Produktspezifikationen

Mouser-Nr.:

747-IXSG110N65L2K

Herst.- Nr.:

IXSG110N65L2K

Herst.:

IXYS

Beschreibung:

SiC-MOSFETs 650V 25mohm (110A a. 25C) SiC MOSFET in TOLL

Lebenszyklus:

Neues Produkt:

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Datenblatt:

IXSG110N65L2K Datenblatt (PDF)

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Cut-Tape

MouseReel™ (+CHF 7.00)

Preis (CHF)

Menge	Stückpreis	Erw. Preis
Gurtabschnitt / MouseReel™ ^†
	CHF 9.01	CHF 9.01
	CHF 6.88	CHF 68.80
	CHF 5.74	CHF 574.00
	CHF 5.21	CHF 2 605.00
Ganzes Reel (Sie bestellen ein Vielfaches von 2000)
	CHF 4.33	CHF 8 660.00

† Für die MouseReel™ wird Ihrem Warenkorb automatisch eine Gebühr von CHF 7.00 hinzugefügt. MouseReel™ Bestellungen sind weder stornierbar, noch können sie zurückgegeben werden. ↩

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Produktattribut	Attributwert	Attribut auswählen
Hersteller:	IXYS
Produktkategorie:	SiC-MOSFETs
RoHS:
Montageart:	SMD/SMT
Verpackung/Gehäuse:	TOLL-8
Transistorpolung:	N-Channel
Anzahl der Kanäle:	1 Channel
Vds - Drain-Source-Durchschlagspannung:	650 V
Id - Drain-Gleichstrom:	111 A
Rds On - Drain-Source-Widerstand:	33 mOhms
Vgs - Gate-Source-Spannung:	- 5 V, + 20 V
Vgs th - Gate-Source-Schwellspannung:	4.5 V
Qg - Gate-Ladung:	125 nC
Minimale Betriebstemperatur:	- 55 C
Maximale Betriebstemperatur:	+ 175 C
Pd - Verlustleistung:	600 W
Kanalmodus:	Enhancement
Marke:	IXYS
Konfiguration:	Single
Abfallzeit:	11.5 ns
Verpackung:	Reel
Verpackung:	Cut Tape
Verpackung:	MouseReel
Produkt:	MOSFETs
Produkt-Typ:	SiC MOSFETS
Anstiegszeit:	23.4 ns
Verpackung ab Werk:	2000
Unterkategorie:	Transistors
Technologie:	SiC
Transistorart:	1 N-Channel
Regelabschaltverzögerungszeit:	35.1 ns
Typische Einschaltverzögerungszeit:	13 ns

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Datenblatt

IXSG110N65L2K Datenblatt (PDF)

CAHTS:: 8541290000
USHTS:: 8541290065
JPHTS:: 854129000
TARIC:: 8541290000
MXHTS:: 8541299900
ECCN:: EAR99

IXSxNxL2Kx Siliciumcarbid (SiC) MOSFETs

IXYS IXSxNxL2Kx Siliciumcarbid(SiC)-MOSFETs haben eine hohe Sperrspannung bei niedrigem Einschaltwiderstand [R_DS(ON)]. Der Einschaltwiderstand liegt zwischen 25 mΩ und 160 mΩ, und der Dauersenkenstrom (I_D) liegt zwischen 20 A und 111 A. Diese Bauteile bieten Hochgeschwindigkeitsschaltungen mit geringer Kapazität und verfügen über eine ultraschnelle intrinsische Body-Diode. Diese sind mit einer Drain-Source-Spannung (V_DSS) von 650 V oder 1.200 V verfügbar. Die IXYS IXSxNxL2Kx MOSFETs aus Siliciumcarbid (SiC) werden in drei Gehäusen angeboten (TO-263-7L, TOLL-8 und TO-247-4L).