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IXSA40N65L2-7TR

Name: IXYS IXSA40N65L2-7TR
Brand: IXYS
SKU: 747-IXSA40N65L2-7TR
Price: 7.34 CHF
Availability: InStock

Bilder dienen lediglich der Veranschaulichung und sind nicht Originalgetreu
Siehe Produktspezifikationen

Mouser-Nr.:

747-IXSA40N65L2-7TR

Herst.- Nr.:

IXSA40N65L2-7TR

Herst.:

IXYS

Beschreibung:

SiC-MOSFETs SiC MOSFET in TO263-7L

Lebenszyklus:

Neues Produkt:

Neu von diesem Hersteller.

Datenblatt:

IXSA40N65L2-7TR Datenblatt (PDF)

ECAD Model:

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Gehäuse:

Ganzes Reel (Sie bestellen ein Vielfaches von 800)

Cut-Tape

MouseReel™ (+7.00 CHF)

Preis (CHF)

Menge	Stückpreis	Erw. Preis
Gurtabschnitt / MouseReel™ ^†
	7.34 CHF	7.34 CHF
	5.17 CHF	51.70 CHF
	4.18 CHF	418.00 CHF
	3.72 CHF	1 860.00 CHF
Ganzes Reel (Sie bestellen ein Vielfaches von 800)
	3.28 CHF	2 624.00 CHF

† Für die MouseReel™ wird Ihrem Warenkorb automatisch eine Gebühr von 7.00 CHF hinzugefügt. MouseReel™ Bestellungen sind weder stornierbar, noch können sie zurückgegeben werden. ↩

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Produktattribut	Attributwert	Attribut auswählen
Hersteller:	IXYS
Produktkategorie:	SiC-MOSFETs
RoHS:
Montageart:	SMD/SMT
Verpackung/Gehäuse:	TO-263-7
Transistorpolung:	N-Channel
Anzahl der Kanäle:	1 Channel
Vds - Drain-Source-Durchschlagspannung:	650 V
Id - Drain-Gleichstrom:	43 A
Rds On - Drain-Source-Widerstand:	78 mOhms
Vgs - Gate-Source-Spannung:	- 5 V, 20 V
Vgs th - Gate-Source-Schwellspannung:	4.5 V
Qg - Gate-Ladung:	64 nC
Minimale Betriebstemperatur:	- 55 C
Maximale Betriebstemperatur:	+ 175 C
Pd - Verlustleistung:	174 W
Kanalmodus:	Enhancement
Marke:	IXYS
Konfiguration:	Single
Abfallzeit:	9.2 ns
Verpackung:	Reel
Verpackung:	Cut Tape
Verpackung:	MouseReel
Produkt:	SiC MOSFETS
Produkt-Typ:	SiC MOSFETS
Anstiegszeit:	11.2 ns
Serie:	IXSxNxL2Kx
Verpackung ab Werk:	800
Unterkategorie:	Transistors
Technologie:	SiC
Transistorart:	1 N-Channel
Regelabschaltverzögerungszeit:	13.1 ns
Typische Einschaltverzögerungszeit:	5 ns

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Datenblatt

IXSA40N65L2-7TR Datenblatt (PDF)

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Konformitätscodes

CAHTS:: 8541290000
USHTS:: 8541290065
JPHTS:: 854129000
TARIC:: 8541290000
MXHTS:: 8541299900
ECCN:: EAR99

Ursprungsklassifikationen

Ursprungsland:: China
Herstellungsland:: Nicht lieferbar
Land der Verbreitung:: Nicht lieferbar

Zum Zeitpunkt der Lieferung kann sich das Land ändern.

Kraftstoffbetriebene/hybride Militär-UAV-Systeme

Die kraftstoffbetriebenen/hybriden militärischen UAV-Systeme von Littelfuse bieten Lösungen für die Stromumwandlung und den Gleichstrombus, die Stromverteilung sowie Ladegeräte und Erdungsstromversorgung. Diese Systeme unterstützen die Stromumwandlung und einen Gleichstrombus mit einer Gleichrichterdiode, die die Wechselstrom-Netzspannung in Gleichstrom umwandelt. Die kraftstoffbetriebenen/hybriden militärischen unbemannten Luftfahrzeugsysteme (UAV) bieten TVS-Dioden, Sicherungen und MOSFETs für Halbleiterschalter, Überspannungsschutz und Gleichrichtung. Diese Systeme bieten Produkte in AEC-Q/MIL-Qualität für verschiedene Anwendungsbereiche. Typische Anwendungsbereiche sind Unterbrechungs-Serviceprogramme (ISR), Militär, Grenzüberwachung, Landwirtschaft, Zustellung/Logistik, Inspektion und öffentliche Sicherheit.

Kommerzielle & taktische UAV-Systeme

Littelfuse kommerzielle und taktische UAV-Systeme bieten Lösungen für den Schutz von Li-Ionen-Akkus, Ladegeräte und die Stromverteilung. Diese Systeme umfassen Sicherungen für den Eingangsschutz/Überstromschutz, MOSFETs für die Halbleiterschaltung und TVS-Dioden für den Schutz vor Transienten und Überspannungen am Gleichstromausgang. Die kommerziellen und taktischen UAV-Systeme bieten Batterieschutz >60 V und ermöglichen die Fehlerisolierung des Hauptakkus, die Batterietrennung/Strompfadsteuerung (Vorladungsunterstützung) sowie den Überstromschutz für Abzweigstromkreise. Typische Anwendungsbereiche sind Unterbrechungs-Serviceprogramme (ISR), Militär, Grenzüberwachung, Landwirtschaft, Zustellung/Logistik, Inspektion und öffentliche Sicherheit.

IXSxNxL2Kx Siliciumcarbid (SiC) MOSFETs

IXYS IXSxNxL2Kx Siliciumcarbid(SiC)-MOSFETs haben eine hohe Sperrspannung bei niedrigem Einschaltwiderstand [R_DS(ON)]. Der Einschaltwiderstand liegt zwischen 25 mΩ und 160 mΩ, und der Dauersenkenstrom (I_D) liegt zwischen 20 A und 111 A. Diese Bauteile bieten Hochgeschwindigkeitsschaltungen mit geringer Kapazität und verfügen über eine ultraschnelle intrinsische Body-Diode. Diese sind mit einer Drain-Source-Spannung (V_DSS) von 650 V oder 1.200 V verfügbar. Die IXYS IXSxNxL2Kx MOSFETs aus Siliciumcarbid (SiC) werden in drei Gehäusen angeboten (TO-263-7L, TOLL-8 und TO-247-4L).