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IXFX220N17T2

Name: IXYS IXFX220N17T2
Brand: IXYS
SKU: 747-IXFX220N17T2
Price: 9.76 CHF
Availability: OutOfStock

Bilder dienen lediglich der Veranschaulichung und sind nicht Originalgetreu
Siehe Produktspezifikationen

Mouser-Nr.:

747-IXFX220N17T2

Herst.- Nr.:

IXFX220N17T2

Herst.:

IXYS

Beschreibung:

MOSFETs GigaMOS Trench T2 HiperFET Pwr MOSFET

Datenblatt:

IXFX220N17T2 Datenblatt

ECAD Model:

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Hersteller:	IXYS
Produktkategorie:	MOSFETs
RoHS:
Technologie:	Si
Montageart:	Through Hole
Verpackung/Gehäuse:	TO-247-3
Transistorpolung:	N-Channel
Anzahl der Kanäle:	1 Channel
Vds - Drain-Source-Durchschlagspannung:	170 V
Id - Drain-Gleichstrom:	220 A
Rds On - Drain-Source-Widerstand:	6.3 mOhms
Vgs - Gate-Source-Spannung:	- 20 V, 20 V
Vgs th - Gate-Source-Schwellspannung:	2.5 V
Qg - Gate-Ladung:	500 nC
Minimale Betriebstemperatur:	- 55 C
Maximale Betriebstemperatur:	+ 175 C
Pd - Verlustleistung:	1.25 mW
Kanalmodus:	Enhancement
Handelsname:	HiPerFET
Verpackung:	Tube
Marke:	IXYS
Konfiguration:	Single
Abfallzeit:	150 ns
Durchlassleitwert (Vorwärtstranskonduktanz) min.:	105 S
Produkt-Typ:	MOSFETs
Anstiegszeit:	160 ns
Serie:	IXFX220N17
Verpackung ab Werk:	30
Unterkategorie:	Transistors
Transistorart:	1 N-Channel
Regelabschaltverzögerungszeit:	40 ns
Typische Einschaltverzögerungszeit:	44 ns
Gewicht pro Stück:	6 g

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Datenblatt

IXFX220N17T2 Datenblatt

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Konformitätscodes

CNHTS:: 8541210000
CAHTS:: 8541900000
USHTS:: 8541290065
JPHTS:: 8542900006
TARIC:: 8541900000
MXHTS:: 8541900299
ECCN:: EAR99

Ursprungsklassifikationen

Ursprungsland:: Philippinen
Herstellungsland:: Nicht lieferbar
Land der Verbreitung:: Nicht lieferbar

Zum Zeitpunkt der Lieferung kann sich das Land ändern.

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