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IXFT18N90P

Name: IXYS IXFT18N90P
Brand: IXYS
SKU: 747-IXFT18N90P
Price: 6.83 CHF
Availability: OutOfStock

Bilder dienen lediglich der Veranschaulichung und sind nicht Originalgetreu
Siehe Produktspezifikationen

Mouser-Nr.:

747-IXFT18N90P

Herst.- Nr.:

IXFT18N90P

Herst.:

IXYS

Beschreibung:

MOSFETs PolarHV HiPerFETs 500V-1.2Kv Red Rds

Datenblatt:

IXFT18N90P Datenblatt

ECAD Model:

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	6.83 CHF	204.90 CHF
	5.69 CHF	682.80 CHF
	5.07 CHF	2 585.70 CHF
	4.73 CHF	4 824.60 CHF

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Hersteller:	IXYS
Produktkategorie:	MOSFETs
REACH - SVHC:
Technologie:	Si
Montageart:	SMD/SMT
Verpackung/Gehäuse:	TO-268-3
Transistorpolung:	N-Channel
Anzahl der Kanäle:	1 Channel
Vds - Drain-Source-Durchschlagspannung:	900 V
Id - Drain-Gleichstrom:	18 A
Rds On - Drain-Source-Widerstand:	600 mOhms
Vgs - Gate-Source-Spannung:	- 30 V, 30 V
Minimale Betriebstemperatur:	- 55 C
Maximale Betriebstemperatur:	+ 150 C
Pd - Verlustleistung:	540 W
Handelsname:	HiPerFET
Verpackung:	Tube
Marke:	IXYS
Konfiguration:	Single
Produkt-Typ:	MOSFETs
Serie:	IXFT18N90
Verpackung ab Werk:	30
Unterkategorie:	Transistors
Transistorart:	1 N-Channel
Gewicht pro Stück:	4,500 g

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Datenblatt

IXFT18N90P Datenblatt

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Konformitätscodes

CNHTS:: 8541290000
CAHTS:: 8541290000
USHTS:: 8541290065
JPHTS:: 8541290100
KRHTS:: 8541299000
TARIC:: 8541290000
MXHTS:: 85412999
ECCN:: EAR99

Ursprungsklassifikationen

Ursprungsland:: Korea, Republik von
Herstellungsland:: Nicht lieferbar
Land der Verbreitung:: Nicht lieferbar

Zum Zeitpunkt der Lieferung kann sich das Land ändern.

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