IXFR14N100Q2

Name: IXYS IXFR14N100Q2
Brand: IXYS
SKU: 747-IXFR14N100Q2
Price: 24.43 CHF
Availability: Discontinued

Bilder dienen lediglich der Veranschaulichung und sind nicht Originalgetreu
Siehe Produktspezifikationen

Mouser-Nr.:

747-IXFR14N100Q2

Herst.- Nr.:

IXFR14N100Q2

Herst.:

IXYS

Lebenszyklus:

NRND:

Nicht empfohlen für neue Designs.

Datenblatt:

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Hersteller:	IXYS
Produktkategorie:	MOSFETs
RoHS:
Technologie:	Si
Montageart:	Through Hole
Verpackung/Gehäuse:	TO-247-3
Transistorpolung:	N-Channel
Anzahl der Kanäle:	1 Channel
Vds - Drain-Source-Durchschlagspannung:	1 kV
Id - Drain-Gleichstrom:	9.5 A
Rds On - Drain-Source-Widerstand:	1 Ohms
Vgs - Gate-Source-Spannung:	- 30 V, 30 V
Minimale Betriebstemperatur:	- 55 C
Maximale Betriebstemperatur:	+ 150 C
Pd - Verlustleistung:	200 W
Kanalmodus:	Enhancement
Handelsname:	HiPerFET
Verpackung:	Tube
Marke:	IXYS
Konfiguration:	Single
Abfallzeit:	12 ns
Produkt-Typ:	MOSFETs
Anstiegszeit:	10 ns
Serie:	IXFR14N100
Verpackung ab Werk:	30
Unterkategorie:	Transistors
Transistorart:	1 N-Channel
Regelabschaltverzögerungszeit:	28 ns
Typische Einschaltverzögerungszeit:	12 ns
Gewicht pro Stück:	6 g