Scheinbar haben Sie Javascript in Ihrem Browser deaktiviert. Einige Funktionen auf dieser Seite funktionieren nur, wenn Sie sich anmelden.

Wird ein Fehler angezeigt?

IXFP3N120

Name: IXYS IXFP3N120
Brand: IXYS
SKU: 747-IXFP3N120
Price: 7.74 CHF
Availability: InStock

Bilder dienen lediglich der Veranschaulichung und sind nicht Originalgetreu
Siehe Produktspezifikationen

Mouser-Nr.:

747-IXFP3N120

Herst.- Nr.:

IXFP3N120

Herst.:

IXYS

Beschreibung:

MOSFETs 3 Amps 1200V 4.50 Rds

Datenblatt:

IXFP3N120 Datenblatt

ECAD Model:

Den kostenlosen Library Loader herunterladen, um diese Datei für Ihr ECAD Tool zu konvertieren. Weitere Infos zu ECAD-Modell.

Mehr über

Weitere Informationen zu IXYS IXFP3N120

Auf Lager: 479

Lagerbestand:: 479 sofort lieferbar

Ein unerwarteter Fehler ist aufgetreten. Bitte versuchen Sie es später noch einmal.
Lieferzeit ab Hersteller:: 32 Wochen Geschätzte Produktionszeit des Werks für Mengen, die größer als angezeigt sind.

Menge eingeben:

Minimum: 1 Vielfache: 1

Stückpreis:

CHF -.--

Erw. Preis:

CHF -.--

Vorauss. Zolltarif:

Preis (CHF)

Menge	Stückpreis	Erw. Preis
	CHF 7.74	CHF 7.74
	CHF 4.29	CHF 42.90
	CHF 4.25	CHF 425.00

.hidden-for-nojs { display: none; } .pull-right-nojs { justify-content: flex-end; }

Produktattribut	Attributwert	Attribut auswählen
Hersteller:	IXYS
Produktkategorie:	MOSFETs
RoHS:
Technologie:	Si
Montageart:	Through Hole
Verpackung/Gehäuse:	TO-220-3
Transistorpolung:	N-Channel
Anzahl der Kanäle:	1 Channel
Vds - Drain-Source-Durchschlagspannung:	1.2 kV
Id - Drain-Gleichstrom:	3 A
Rds On - Drain-Source-Widerstand:	4.5 Ohms
Vgs - Gate-Source-Spannung:	- 20 V, 20 V
Vgs th - Gate-Source-Schwellspannung:	5 V
Qg - Gate-Ladung:	39 nC
Minimale Betriebstemperatur:	- 55 C
Maximale Betriebstemperatur:	+ 150 C
Pd - Verlustleistung:	200 W
Kanalmodus:	Enhancement
Handelsname:	HiPerFET
Verpackung:	Tube
Marke:	IXYS
Konfiguration:	Single
Land der Bestückung:	Not Available
Land der Verbreitung:	Not Available
Ursprungsland:	KR
Abfallzeit:	18 ns
Durchlassleitwert (Vorwärtstranskonduktanz) min.:	1.5 S
Produkt-Typ:	MOSFETs
Anstiegszeit:	15 ns
Serie:	HiPerFET
Verpackung ab Werk:	50
Unterkategorie:	Transistors
Transistorart:	1 N-Channel
Regelabschaltverzögerungszeit:	32 ns
Typische Einschaltverzögerungszeit:	17 ns
Gewicht pro Stück:	2 g

Produkte gefunden:

Um ähnliche Produkte anzuzeigen, wählen Sie mindestens ein Kontrollkästchen aus

Um ähnliche Produkte in dieser Kategorie anzuzeigen, wählen Sie mindestens ein Kontrollkästchen oben aus.

Ausgewählte Attribute: 0

Dokument filtern:

Datenblatt

IXFP3N120 Datenblatt

Für diese Funktionalität ist die Aktivierung von JavaScript erforderlich.

CNHTS:: 8541290000
CAHTS:: 8541290000
USHTS:: 8541290065
JPHTS:: 8541290100
KRHTS:: 8541299000
TARIC:: 8541290000
MXHTS:: 85415001
ECCN:: EAR99

Medizintechnik-Lösungen

Littelfuse Medizintechnik-Lösungen bieten robuste Qualitätskomponenten, die für einen zuverlässigen Betrieb und eine ausfallsichere Betriebszeit der Geräte erforderlich sind. Diese Lösungen umfassen Lüfter, Defibrillator und Ultraschall. Die Medizintechnik-Lösungen von Littelfuse eignen sich hervorragend für lebenserhaltende Systeme, Patientenpflegegeräte und Patientenüberwachungssysteme.

Standard-n-Kanal-HiPerFET™-Leistungs-MOSFETs

IXYS Standard N-Kanal HiPerFET™ Leistungs-MOSFETs sind sowohl für hartes Schalten als auch für Resonanzmodus-Applikationen konzipiert. Diese Bauteile bieten niedrige GATE elektrische Ladung und ausgezeichnete Robustheit mit einer schnellen intrinsischen Diode. Diese Bauteile sind in verschiedenen Industriestandard-Gehäusen, einschließlich isolierter Typen erhältlich.

Elektrofahrzeug DC-Schnelladegeräte

Die Ladelösungen für das elektrische Fahrzeug (EV) von Littelfuse umfassen Off-Board-DC-Schnellladegeräte. Die EV-Ladelösungen von Littelfuse ermöglichen Designern die Auswahl der richtigen Lösung, um zu gewährleisten, dass die EV-Ladeeinheiten funktionstüchtig und sicher sind.

HiPerFET™ Power MOSFETs

IXYS HiPerFET™ Power MOSFETs are for hard switching and resonant mode applications. The devices offer low gate charge, excellent ruggedness with a fast intrinsic diode, and higher current handling capability that eliminates the need for multiple components. These high current HiPerFET MOSFETs are available in standard industrial packages, including isolated types.