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IXFP26N65X2

Name: IXYS IXFP26N65X2
Brand: IXYS
SKU: 747-IXFP26N65X2
Price: 4.86 CHF
Availability: OutOfStock

Bilder dienen lediglich der Veranschaulichung und sind nicht Originalgetreu
Siehe Produktspezifikationen

Mouser-Nr.:

747-IXFP26N65X2

Herst.- Nr.:

IXFP26N65X2

Herst.:

IXYS

Beschreibung:

MOSFETs TO220 650V 26A N-CH X2CLASS

Datenblatt:

IXFP26N65X2 Datenblatt

ECAD Model:

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Hersteller:	IXYS
Produktkategorie:	MOSFETs
RoHS:
Technologie:	Si
Montageart:	Through Hole
Verpackung/Gehäuse:	TO-220-3
Transistorpolung:	N-Channel
Anzahl der Kanäle:	1 Channel
Vds - Drain-Source-Durchschlagspannung:	650 V
Id - Drain-Gleichstrom:	26 A
Rds On - Drain-Source-Widerstand:	130 mOhms
Vgs - Gate-Source-Spannung:	- 30 V, 30 V
Vgs th - Gate-Source-Schwellspannung:	5 V
Qg - Gate-Ladung:	45 nC
Minimale Betriebstemperatur:	- 55 C
Maximale Betriebstemperatur:	+ 150 C
Pd - Verlustleistung:	460 W
Kanalmodus:	Enhancement
Verpackung:	Tube
Marke:	IXYS
Konfiguration:	Single
Abfallzeit:	17 ns
Durchlassleitwert (Vorwärtstranskonduktanz) min.:	9.5 S
Produkt-Typ:	MOSFETs
Anstiegszeit:	53 ns
Serie:	IXFP26N65X2
Verpackung ab Werk:	50
Unterkategorie:	Transistors
Transistorart:	1 N-Channel
Regelabschaltverzögerungszeit:	50 ns
Typische Einschaltverzögerungszeit:	40 ns

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Datenblatt

IXFP26N65X2 Datenblatt

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CNHTS:: 8541290000
CAHTS:: 8541290000
USHTS:: 8541290065
JPHTS:: 854129000
TARIC:: 8541290000
MXHTS:: 8541299900
ECCN:: EAR99

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IXYS X2-Klasse HiPerFET™-Leistungs-MOSFETs sind Avalanche-bewertete n-Kanal-Anreicherungstyp-MOSFETs. Die MOSFETs der X2-Klasse bieten eine hohe Leistungsdichte, Platzeinsparungen und eine einfache Montage. Die MOSFETs sind in internationalen Standardgehäusen verfügbar, einschließlich TO-263, TO-220 und TO-247.