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IXFN56N90P

Name: IXYS IXFN56N90P
Brand: IXYS
SKU: 747-IXFN56N90P
Price: 61.9 CHF
Availability: InStock

Bilder dienen lediglich der Veranschaulichung und sind nicht Originalgetreu
Siehe Produktspezifikationen

Mouser-Nr.:

747-IXFN56N90P

Herst.- Nr.:

IXFN56N90P

Herst.:

IXYS

Beschreibung:

MOSFET-Module PolarHV HiPerFETs 900V 56A

Datenblatt:

IXFN56N90P Datenblatt

ECAD Model:

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	51.14 CHF	511.40 CHF
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Hersteller:	IXYS
Produktkategorie:	MOSFET-Module
RoHS:
Technologie:	Si
Montageart:	Screw Mount
Verpackung/Gehäuse:	SOT-227-4
Transistorpolung:	N-Channel
Anzahl der Kanäle:	1 Channel
Vds - Drain-Source-Durchschlagspannung:	900 V
Id - Drain-Gleichstrom:	56 A
Rds On - Drain-Source-Widerstand:	135 mOhms
Vgs - Gate-Source-Spannung:	- 30 V, + 30 V
Vgs th - Gate-Source-Schwellspannung:	6.5 V
Minimale Betriebstemperatur:	- 55 C
Maximale Betriebstemperatur:	+ 150 C
Pd - Verlustleistung:	1 kW
Serie:	IXFN56N90
Verpackung:	Tube
Marke:	IXYS
Konfiguration:	Single
Abfallzeit:	38 ns
Produkt-Typ:	MOSFET Modules
Anstiegszeit:	80 ns
Verpackung ab Werk:	10
Unterkategorie:	Discrete and Power Modules
Handelsname:	HiPerFET
Typ:	HiperFET
Regelabschaltverzögerungszeit:	93 ns
Typische Einschaltverzögerungszeit:	74 ns
Gewicht pro Stück:	30 g

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Datenblatt

IXFN56N90P Datenblatt

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Konformitätscodes

CNHTS:: 8541290000
TARIC:: 8541290000
CAHTS:: 8541290000
USHTS:: 8541290065
JPHTS:: 8541290100
KRHTS:: 8541299000
MXHTS:: 85412999
ECCN:: EAR99

Ursprungsklassifikationen

Ursprungsland:: Korea, Republik von
Herstellungsland:: Nicht lieferbar
Land der Verbreitung:: Nicht lieferbar

Zum Zeitpunkt der Lieferung kann sich das Land ändern.

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