IXFN32N120

Bilder dienen lediglich der Veranschaulichung und sind nicht Originalgetreu
Siehe Produktspezifikationen

Mouser-Nr.:

747-IXFN32N120

Herst.- Nr.:

IXFN32N120

Herst.:

IXYS

Lebenszyklus:

abgekündigt

Datenblatt:

ECAD Model:

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Versandmeldung:

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Hersteller:	IXYS
Produktkategorie:	MOSFET-Module
Versandbeschränkungen:	Mouser verkauft dieses Produkt nicht in Ihre Region.
RoHS:
Technologie:	Si
Montageart:	Screw Mount
Verpackung/Gehäuse:	SOT-227-4
Transistorpolung:	N-Channel
Anzahl der Kanäle:	1 Channel
Vds - Drain-Source-Durchschlagspannung:	1.2 kV
Id - Drain-Gleichstrom:	32 A
Rds On - Drain-Source-Widerstand:	350 mOhms
Vgs - Gate-Source-Spannung:	- 30 V, + 30 V
Minimale Betriebstemperatur:	- 55 C
Maximale Betriebstemperatur:	+ 150 C
Pd - Verlustleistung:	780 W
Serie:	HiPerFET
Marke:	IXYS
Konfiguration:	Single
Abfallzeit:	22 ns
Höhe:	9.6 mm
Länge:	38.23 mm
Produkt-Typ:	MOSFET Modules
Anstiegszeit:	42 ns
Verpackung ab Werk:	10
Unterkategorie:	Discrete and Power Modules
Handelsname:	HiPerFET
Regelabschaltverzögerungszeit:	98 ns
Typische Einschaltverzögerungszeit:	36 ns
Breite:	25.42 mm
Gewicht pro Stück:	30 g