IXFN21N100Q

747-IXFN21N100Q
IXFN21N100Q

Herst.:

Beschreibung:
MOSFET-Module 21 Amps 1000V 0.5 Rds

Datenblatt:
ECAD Model:
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IXYS
Produktkategorie: MOSFET-Module
RoHS:  
Si
Screw Mount
SOT-227-4
N-Channel
1 Channel
1 kV
21 A
500 mOhms
- 20 V, + 20 V
- 55 C
+ 150 C
520 W
IXFN21N100
Tube
Marke: IXYS
Konfiguration: Single
Abfallzeit: 12 ns
Höhe: 9.6 mm
Länge: 38.2 mm
Produkt-Typ: MOSFET Modules
Anstiegszeit: 18 ns
Verpackung ab Werk: 10
Unterkategorie: Discrete and Power Modules
Handelsname: HiPerFET
Regelabschaltverzögerungszeit: 60 ns
Typische Einschaltverzögerungszeit: 21 ns
Breite: 25.07 mm
Gewicht pro Stück: 30 g
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Ausgewählte Attribute: 0

Datenblatt

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Konformitätscodes
CNHTS:
8541590000
CAHTS:
8541290000
USHTS:
8541290065
JPHTS:
854129000
KRHTS:
8541299000
TARIC:
8541290000
MXHTS:
8541299900
ECCN:
EAR99
Ursprungsklassifikationen
Ursprungsland:
Philippinen
Herstellungsland:
Nicht lieferbar
Land der Verbreitung:
Nicht lieferbar
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