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IXFN210N20P

Name: IXYS IXFN210N20P
Brand: IXYS
SKU: 747-IXFN210N20P
Price: 47.97 CHF
Availability: InStock

Bilder dienen lediglich der Veranschaulichung und sind nicht Originalgetreu
Siehe Produktspezifikationen

Mouser-Nr.:

747-IXFN210N20P

Herst.- Nr.:

IXFN210N20P

Herst.:

IXYS

Beschreibung:

MOSFET-Module 188 Amps 200V 0.0105 Rds

Datenblatt:

IXFN210N20P Datenblatt

ECAD Model:

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Produktattribut	Attributwert	Attribut auswählen
Hersteller:	IXYS
Produktkategorie:	MOSFET-Module
RoHS:
Technologie:	Si
Montageart:	Screw Mount
Verpackung/Gehäuse:	SOT-227-4
Transistorpolung:	N-Channel
Anzahl der Kanäle:	1 Channel
Vds - Drain-Source-Durchschlagspannung:	200 V
Id - Drain-Gleichstrom:	188 A
Rds On - Drain-Source-Widerstand:	10.5 mOhms
Vgs - Gate-Source-Spannung:	- 20 V, + 20 V
Minimale Betriebstemperatur:	- 55 C
Maximale Betriebstemperatur:	+ 175 C
Pd - Verlustleistung:	1.07 kW
Serie:	HiPerFET
Verpackung:	Tube
Marke:	IXYS
Konfiguration:	Single
Produkt-Typ:	MOSFET Modules
Verpackung ab Werk:	10
Unterkategorie:	Discrete and Power Modules
Handelsname:	HiPerFET
Typ:	HiperFET
Gewicht pro Stück:	30 g

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Datenblatt

IXFN210N20P Datenblatt

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Konformitätscodes

CNHTS:: 8541290000
TARIC:: 8541290000
CAHTS:: 8541290000
USHTS:: 8541290065
JPHTS:: 854129000
KRHTS:: 8541299000
MXHTS:: 8541299900
ECCN:: EAR99

Ursprungsklassifikationen

Ursprungsland:: Korea, Republik von
Herstellungsland:: Nicht lieferbar
Land der Verbreitung:: Korea, Republik von

Zum Zeitpunkt der Lieferung kann sich das Land ändern.

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