Scheinbar haben Sie Javascript in Ihrem Browser deaktiviert. Einige Funktionen auf dieser Seite funktionieren nur, wenn Sie sich anmelden.

Wird ein Fehler angezeigt?

IXFN180N15P

Name: IXYS IXFN180N15P
Brand: IXYS
SKU: 747-IXFN180N15P
Price: 27.91 CHF
Availability: InStock

Bilder dienen lediglich der Veranschaulichung und sind nicht Originalgetreu
Siehe Produktspezifikationen

Mouser-Nr.:

747-IXFN180N15P

Herst.- Nr.:

IXFN180N15P

Herst.:

IXYS

Beschreibung:

MOSFET-Module 180 Amps 150V 0.011 Rds

Datenblatt:

IXFN180N15P Datenblatt

ECAD Model:

Den kostenlosen Library Loader herunterladen, um diese Datei für Ihr ECAD Tool zu konvertieren. Weitere Infos zu ECAD-Modell.

Mehr über

Weitere Informationen zu IXYS IXFN180N15P

Auf Lager: 275

Lagerbestand:: 275

sofort lieferbar

Ein unerwarteter Fehler ist aufgetreten. Bitte versuchen Sie es später noch einmal.
Auf Bestellung:: 460

erwartet ab 02.09.2026

790

erwartet ab 15.10.2026
Lieferzeit ab Hersteller:: 24

Wochen Geschätzte Produktionszeit des Werks für Mengen, die größer als angezeigt sind.

Menge eingeben:

Minimum: 1 Vielfache: 1

Stückpreis:

-.-- CHF

Erw. Preis:

-.-- CHF

Vorauss. Zolltarif:

Preis (CHF)

Menge	Stückpreis	Erw. Preis
	27.91 CHF	27.91 CHF
	22.77 CHF	227.70 CHF
	19.86 CHF	1 986.00 CHF

.hidden-for-nojs { display: none; } .pull-right-nojs { justify-content: flex-end; }

Produktattribut	Attributwert	Attribut auswählen
Hersteller:	IXYS
Produktkategorie:	MOSFET-Module
RoHS:
Technologie:	Si
Montageart:	Screw Mount
Verpackung/Gehäuse:	SOT-227-4
Transistorpolung:	N-Channel
Anzahl der Kanäle:	1 Channel
Vds - Drain-Source-Durchschlagspannung:	150 V
Id - Drain-Gleichstrom:	150 A
Rds On - Drain-Source-Widerstand:	11 mOhms
Vgs - Gate-Source-Spannung:	- 20 V, + 20 V
Minimale Betriebstemperatur:	- 55 C
Maximale Betriebstemperatur:	+ 175 C
Pd - Verlustleistung:	680 W
Serie:	IXFN180N15
Verpackung:	Tube
Marke:	IXYS
Konfiguration:	Single
Abfallzeit:	36 ns
Höhe:	9.6 mm
Länge:	38.23 mm
Produkt-Typ:	MOSFET Modules
Anstiegszeit:	32 ns
Verpackung ab Werk:	10
Unterkategorie:	Discrete and Power Modules
Handelsname:	HiPerFET
Typ:	HiperFET
Regelabschaltverzögerungszeit:	150 ns
Typische Einschaltverzögerungszeit:	30 ns
Breite:	25.42 mm
Gewicht pro Stück:	30 g

Produkte gefunden:

Um ähnliche Produkte anzuzeigen, wählen Sie mindestens ein Kontrollkästchen aus

Um ähnliche Produkte in dieser Kategorie anzuzeigen, wählen Sie mindestens ein Kontrollkästchen oben aus.

Ausgewählte Attribute: 0

Dokument filtern:

Datenblatt

IXFN180N15P Datenblatt

Für diese Funktionalität ist die Aktivierung von JavaScript erforderlich.

Konformitätscodes

CNHTS:: 8541290000
TARIC:: 8541290000
CAHTS:: 8541290000
USHTS:: 8541290065
JPHTS:: 854129000
KRHTS:: 8541299000
MXHTS:: 8541299900
ECCN:: EAR99

Ursprungsklassifikationen

Ursprungsland:: Korea, Republik von
Herstellungsland:: Nicht lieferbar
Land der Verbreitung:: Nicht lieferbar

Zum Zeitpunkt der Lieferung kann sich das Land ändern.

Kommerzielle & taktische UAV-Systeme

Littelfuse kommerzielle und taktische UAV-Systeme bieten Lösungen für den Schutz von Li-Ionen-Akkus, Ladegeräte und die Stromverteilung. Diese Systeme umfassen Sicherungen für den Eingangsschutz/Überstromschutz, MOSFETs für die Halbleiterschaltung und TVS-Dioden für den Schutz vor Transienten und Überspannungen am Gleichstromausgang. Die kommerziellen und taktischen UAV-Systeme bieten Batterieschutz >60 V und ermöglichen die Fehlerisolierung des Hauptakkus, die Batterietrennung/Strompfadsteuerung (Vorladungsunterstützung) sowie den Überstromschutz für Abzweigstromkreise. Typische Anwendungsbereiche sind Unterbrechungs-Serviceprogramme (ISR), Militär, Grenzüberwachung, Landwirtschaft, Zustellung/Logistik, Inspektion und öffentliche Sicherheit.

Kraftstoffbetriebene/hybride Militär-UAV-Systeme

Die kraftstoffbetriebenen/hybriden militärischen UAV-Systeme von Littelfuse bieten Lösungen für die Stromumwandlung und den Gleichstrombus, die Stromverteilung sowie Ladegeräte und Erdungsstromversorgung. Diese Systeme unterstützen die Stromumwandlung und einen Gleichstrombus mit einer Gleichrichterdiode, die die Wechselstrom-Netzspannung in Gleichstrom umwandelt. Die kraftstoffbetriebenen/hybriden militärischen unbemannten Luftfahrzeugsysteme (UAV) bieten TVS-Dioden, Sicherungen und MOSFETs für Halbleiterschalter, Überspannungsschutz und Gleichrichtung. Diese Systeme bieten Produkte in AEC-Q/MIL-Qualität für verschiedene Anwendungsbereiche. Typische Applikationen umfassen ISR, Militär und Grenzüberwachung

Drohnen-Subsysteme

Die Drohnen-Subsysteme von Littelfuse bieten Lösungen für USB-C-PD- und Lithium-Ionen-Akkuladegeräte, Akkusysteme und BLDC-Motoren. Diese Subsysteme bieten Sicherungen für verschiedene Funktionen, darunter Überstromschutz und Fehlerisolierung für den Wechselstromeingang sowie Schutz für den Akku, den nachgeschalteten Controller, das Akkupack, die Verkabelung und den Controller. Die Drohnen-Subsysteme bieten TVS-Dioden zur Unterdrückung von Schalttransienten auf der Primärseite sowie Überspannungsschutz für die Sense-Leitungen von Zellüberwachungs-ICs. Diese Subsysteme eignen sich für verschiedene Drohnen, darunter Spielzeug-, Kamera-, FPV-, Unternehmens-, Industrie-, ISR-, Inspektions-/Kartierungs-, Landwirtschafts- und Schwerlastdrohnen. Typische Applikationen umfassen Lieferung/Logistik, öffentliche Sicherheit, Grenzkontrolle und Militär.

Polar HiPerFET Power MOSFETs

IXYS Polar™ HiPerFETs Power MOSFETs combine the strengths of the Polar Standard family with a faster body diode. The faster body diode's reverse recovery time (t_rr) is reduced to make them suitable for phase-shift bridges motor control and uninterruptible power supply applications (UPS). This family of MOSFETs provides the lowest R_DS(on), low R_thJC, low Q_g, and enhanced dv/dt capability.