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IXFN160N30T

Name: IXYS IXFN160N30T
Brand: IXYS
SKU: 747-IXFN160N30T
Price: 25.69 CHF
Availability: InStock

Bilder dienen lediglich der Veranschaulichung und sind nicht Originalgetreu
Siehe Produktspezifikationen

Mouser-Nr.:

747-IXFN160N30T

Herst.- Nr.:

IXFN160N30T

Herst.:

IXYS

Beschreibung:

MOSFET-Module TRENCH HIPERFET PWR MOSFET 300V 130A

Datenblatt:

IXFN160N30T Datenblatt

ECAD Model:

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Hersteller:	IXYS
Produktkategorie:	MOSFET-Module
RoHS:
Technologie:	Si
Montageart:	Screw Mount
Verpackung/Gehäuse:	SOT-227-4
Transistorpolung:	N-Channel
Anzahl der Kanäle:	1 Channel
Vds - Drain-Source-Durchschlagspannung:	300 V
Id - Drain-Gleichstrom:	130 A
Rds On - Drain-Source-Widerstand:	19 mOhms
Vgs - Gate-Source-Spannung:	- 20 V, + 20 V
Vgs th - Gate-Source-Schwellspannung:	5 V
Minimale Betriebstemperatur:	- 55 C
Maximale Betriebstemperatur:	+ 150 C
Pd - Verlustleistung:	900 W
Serie:	IXFN160N30
Verpackung:	Tube
Marke:	IXYS
Konfiguration:	Single
Land der Bestückung:	Not Available
Land der Verbreitung:	Not Available
Ursprungsland:	KR
Abfallzeit:	25 ns
Höhe:	12.22 mm
Länge:	38.23 mm
Produkt-Typ:	MOSFET Modules
Anstiegszeit:	38 ns
Verpackung ab Werk:	10
Unterkategorie:	Discrete and Power Modules
Handelsname:	HiPerFET
Typ:	GigaMOS Power MOSFET
Regelabschaltverzögerungszeit:	105 ns
Typische Einschaltverzögerungszeit:	37 ns
Breite:	25.42 mm
Gewicht pro Stück:	30 g

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Datenblatt

IXFN160N30T Datenblatt

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CNHTS:: 8541290000
CAHTS:: 8541290000
USHTS:: 8541290065
JPHTS:: 8541290100
KRHTS:: 8541299000
TARIC:: 8541900000
MXHTS:: 8541900299
ECCN:: EAR99

Gen1 Trench Gate Power MOSFETs

IXYS Gen1 Trench Gate Power MOSFETs are ideally suited for low voltage/ high current applications, requiring an exceedingly low R_DS(ON), enabling very low power dissipation. This, combined with wide-ranging operating junction temperature, from -40°C to 175°C, make them suitable candidates for automobile applications and other similar demanding applications in harsh environments.