IXFN150N10

Name: IXYS IXFN150N10
Brand: IXYS
SKU: 747-IXFN150N10
Price: 27.44 CHF
Availability: Discontinued

Bilder dienen lediglich der Veranschaulichung und sind nicht Originalgetreu
Siehe Produktspezifikationen

Mouser-Nr.:

747-IXFN150N10

Herst.- Nr.:

IXFN150N10

Herst.:

IXYS

Lebenszyklus:

NRND:

Nicht empfohlen für neue Designs.

Datenblatt:

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Hersteller:	IXYS
Produktkategorie:	Diskrete Halbleitermodule
RoHS:
Technologie:	Si
Vgs - Gate-Source-Spannung:	- 20 V, + 20 V
Montageart:	Screw Mount
Verpackung/Gehäuse:	SOT-227-4
Minimale Betriebstemperatur:	- 55 C
Maximale Betriebstemperatur:	+ 150 C
Serie:	HiPerFET
Verpackung:	Tube
Marke:	IXYS
Konfiguration:	Single
Abfallzeit:	60 ns
Id - Drain-Gleichstrom:	150 A
Pd - Verlustleistung:	520 W
Produkt-Typ:	Discrete Semiconductor Modules
Rds On - Drain-Source-Widerstand:	12 mOhms
Anstiegszeit:	60 ns
Verpackung ab Werk:	10
Unterkategorie:	Discrete Semiconductor Modules
Transistorpolung:	N-Channel
Regelabschaltverzögerungszeit:	100 ns
Typische Einschaltverzögerungszeit:	30 ns
Vds - Drain-Source-Durchschlagspannung:	100 V
Gewicht pro Stück:	30 g