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IXFK80N50Q3

Name: IXYS IXFK80N50Q3
Brand: IXYS
SKU: 747-IXFK80N50Q3
Price: 23.62 CHF
Availability: OutOfStock

Bilder dienen lediglich der Veranschaulichung und sind nicht Originalgetreu
Siehe Produktspezifikationen

Mouser-Nr.:

747-IXFK80N50Q3

Herst.- Nr.:

IXFK80N50Q3

Herst.:

IXYS

Beschreibung:

MOSFETs Q3Class HiPerFET Pwr MOSFET 500V/80A

Datenblatt:

IXFK80N50Q3 Datenblatt

ECAD Model:

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Hersteller:	IXYS
Produktkategorie:	MOSFETs
RoHS:
Technologie:	Si
Montageart:	Through Hole
Verpackung/Gehäuse:	TO-264-3
Transistorpolung:	N-Channel
Anzahl der Kanäle:	1 Channel
Vds - Drain-Source-Durchschlagspannung:	500 V
Id - Drain-Gleichstrom:	80 A
Rds On - Drain-Source-Widerstand:	65 mOhms
Vgs - Gate-Source-Spannung:	- 30 V, 30 V
Vgs th - Gate-Source-Schwellspannung:	3.5 V
Qg - Gate-Ladung:	200 nC
Minimale Betriebstemperatur:	- 55 C
Maximale Betriebstemperatur:	+ 150 C
Pd - Verlustleistung:	1.25 kW
Kanalmodus:	Enhancement
Handelsname:	HiPerFET
Verpackung:	Tube
Marke:	IXYS
Konfiguration:	Single
Produkt-Typ:	MOSFETs
Anstiegszeit:	250 ns
Serie:	IXFK80N50
Verpackung ab Werk:	25
Unterkategorie:	Transistors
Transistorart:	1 N-Channel
Gewicht pro Stück:	10 g

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Datenblatt

IXFK80N50Q3 Datenblatt

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Konformitätscodes

CNHTS:: 8541290000
CAHTS:: 8541290000
USHTS:: 8541290065
JPHTS:: 8541290100
KRHTS:: 8541299000
TARIC:: 8541500000
MXHTS:: 85415001
ECCN:: EAR99

Ursprungsklassifikationen

Ursprungsland:: Philippinen
Herstellungsland:: Nicht lieferbar
Land der Verbreitung:: Nicht lieferbar

Zum Zeitpunkt der Lieferung kann sich das Land ändern.

HiPerFET™-Leistungs-MOSFETs der Q3-Klasse

IXYS Q3-Klasse HiperFET™ Leistungs-MOSFETs bieten dem Endverbraucher ein großes Angebot von Bauteilen, die eine außergewöhnliche Stromschaltleistung aufweisen. Sie bieten außerdem hervorragende thermische Eigenschaften, eine verbesserte Robustheit der Bauteile und eine hohe Energieeffizienz. Diese MOSFETs sind mit einer Drain-Source-Spannung von 200 V bis 1.000 V und einem Drainstrom von 10 A bis 100 A erhältlich. Diese Eigenschaften machen die Q3-Klasse zu einer optimierten Kombination aus niedrigem Einschaltwiderstand (R_dson) und einer Gate-Ladung (Q_g), wodurch die Leitungs- und Schaltverluste des Bauteils erheblich reduziert werden. Durch die Verwendung des HiperFET-Prozesses werden die Stromschaltfunktionen und die Robustheit der Bauteile weiter verbessert. Dieser Prozess führt zu einem Bauteil mit einem schnellen intrinsischen Gleichrichter, der für eine niedrige Sperrverzögerungsladung (Q_rr) sorgt und gleichzeitig die dv/dt-Werte des Bauteils verbessert (bis zu 50 V/ns).

HiPerFET Power MOSFETs

IXYS has expanded the HiPerFET MOSTET family by introducing the Q3-Class products. The new Q3-Class provide up to a 25 percent reduction in on-state resistance, 27 percent reduction in input capacitance, 28 percent reduction in gate chare, 41 percent increase in maximum power dissipation, and up to 50 percent reduction in thermal resistances. These high-current, Polar HT™/HV™ HiPerFET™ power MOSFETs from IXYS are for hard switching and resonant mode applications. The devices offer low gate charge, excellent ruggedness with a fast intrinsic diode, and higher current handling capability that eliminates the need for multiple components. These HiPerFET MOSFETs are available in standard industrial packages, including isolated types. View all .

Fuel-Powered/Hybrid Military UAV Systems

Littelfuse Fuel-Powered/Hybrid Military UAV Systems offer solutions for power conversion and DC bus, power distribution, and charger/ground power. These systems support power conversion and a DC bus with a rectifier diode that converts AC line voltage to DC. The fuel-powered/hybrid military Unmanned Aerial Vehicle (UAV) systems provide TVS diodes, fuses, and MOSFETs for semiconductor switches, surge protection, and rectification. These systems offer AEC-Q/MIL-grade products across various functions. Typical applications include ISR, military, and border surveillance

Commercial & Tactical UAV Systems

Littelfuse Commercial and Tactical UAV Systems offer solutions for Li-Ion battery protection, battery chargers, and power distribution. These systems provide fuses for input protection/overcurrent protection, MOSFETs for semiconductor switching, and TVS diodes for DC output transient/surge protection. The commercial and tactical UAV systems offer battery protection >60V and provide main-pack fault isolation, battery disconnect/power path control (pre-charge support), and branch circuit overcurrent protection. Typical applications include ISR, military, border surveillance, agriculture, delivery/logistics, inspection, and public safety.

Elektrofahrzeug DC-Schnelladegeräte

Die Ladelösungen für das elektrische Fahrzeug (EV) von Littelfuse umfassen Off-Board-DC-Schnellladegeräte. Die EV-Ladelösungen von Littelfuse ermöglichen Designern die Auswahl der richtigen Lösung, um zu gewährleisten, dass die EV-Ladeeinheiten funktionstüchtig und sicher sind.

HiPerFET™ Power MOSFETs

IXYS HiPerFET™ Power MOSFETs are for hard switching and resonant mode applications. The devices offer low gate charge, excellent ruggedness with a fast intrinsic diode, and higher current handling capability that eliminates the need for multiple components. These high current HiPerFET MOSFETs are available in standard industrial packages, including isolated types.