IXFK32N100X

IXYS
747-IXFK32N100X
IXFK32N100X

Herst.:

Beschreibung:
MOSFETs 1000V 32A TO-264 Power MOSFET

Datenblatt:
ECAD Model:
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IXYS
Produktkategorie: MOSFETs
RoHS:  
Si
Through Hole
TO-264-3
N-Channel
1 Channel
1 kV
32 A
220 mOhms
- 30 V, 30 V
3.5 V
130 nC
- 55 C
+ 150 C
890 W
Enhancement
HiPerFET
Tube
Marke: IXYS
Konfiguration: Single
Abfallzeit: 12 ns
Durchlassleitwert (Vorwärtstranskonduktanz) min.: 14 S
Produkt-Typ: MOSFETs
Anstiegszeit: 12 ns
Verpackung ab Werk: 25
Unterkategorie: Transistors
Transistorart: 1 N-Channel
Regelabschaltverzögerungszeit: 80 ns
Typische Einschaltverzögerungszeit: 29 ns
Gewicht pro Stück: 10 g
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Ausgewählte Attribute: 0

Datenblatt

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Konformitätscodes
CNHTS:
8541290000
USHTS:
8541290065
TARIC:
8541290000
ECCN:
EAR99
Ursprungsklassifikationen
Ursprungsland:
Korea, Republik von
Herstellungsland:
Nicht lieferbar
Land der Verbreitung:
Nicht lieferbar
Zum Zeitpunkt der Lieferung kann sich das Land ändern.

Off-Board-Ladegerät – Untereinheit-Leistungswandler

Littelfuse Off-Board-Ladegerät – Untereinheit-Leistungswandler sind für DC-Ladestationen erforderlich, die bis zu einem SOC von 80 % in weniger als 30 Minuten laden. Diese Schnellladeapplikationen erfordern modulare Leistungswandler, die parallelgeschaltet werden können, um verschiedenen Leistungsstufen gerecht zu werden, wodurch ein schnelles Laden ermöglicht wird. Die wichtigsten Parameter sind die Energiedichte und der Systemwirkungsgrad. Ein Untereinheit-Leistungswandler in einer DC-Ladestation besteht aus einer AC/DC-Leistungsstufe und einer DC/DC-Leistungsstufe, die in der Ladestation integriert sind.

Ladelösungen für Elektrofahrzeuge

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HiperFET™ Ultra-Junction-850V-MOSFETs der X-Klasse

Die IXYS HiperFET™ Ultra-Junction-850V-MOSFETs der X-Klasse sind verbesserte Avalanche-bewertete schnelle intrinsische Dioden. Diese MOSFETs verfügen über eine hohe Leistungsdichte und geringe Gehäuseinduktivität mit geringem RDS(ON) und geringem QG. Die MOSFETs der X-Klasse sind in internationalen Standardgehäusen erhältlich. Typische Applikationen sind Schaltnetzteile und Resonanznetzteile, Robotik- und Servosteuerungen und ähnliche Applikationen.
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X-Class Power MOSFETs

IXYS X-Class Power MOSFETs are high-power density N-Channel Enhancement Mode MOSFETs. They are easy to mount and have a low RDS(ON) and QG with a low package inductance. Typical applications include switch-mode and resonant-mode power supplies, DC-DC converters and PFC circuits.

Elektrofahrzeug DC-Schnelladegeräte

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Ultra-Junction-MOSFETs

Die Ultra-Junction-MOSFETs von IXYS verfügen über einen niedrigen RDS(on) und eine niedrige Qg in Industriestandard-Gehäusen mit niedriger Induktivität. Diese Bauteile ermöglichen eine hohe Leistungsdichte, eine einfache Montage und Platzeinsparungen. Die Ultra-Junction-MOSFETs sind ideale Lösungen in SNT, DC/DC-Wandlern, PFC-Schaltungen, AC- und DC-Motorantriebe sowie Robotik-/Servo-Steuerungen.

Lösungen für Off-Highway-Elektrofahrzeuge

Littelfuse bietet eine große Auswahl von Lösungen für Off-Highway-Elektrofahrzeuge. Diese Elektrofahrzeuge verfügen über eine ähnliche Architektur und einen Leistungsbereich von 48 V bis 400 V. Zu den Off-Highway-Elektrofahrzeugen gehören elektrische Gabelstapler, Golfwagen, Dreiräder, Schleppzugmaschinen, Walzen und Bagger.

HiPerFET™ Power MOSFETs

IXYS HiPerFET™ Power MOSFETs are for hard switching and resonant mode applications. The devices offer low gate charge, excellent ruggedness with a fast intrinsic diode, and higher current handling capability that eliminates the need for multiple components. These high current HiPerFET MOSFETs are available in standard industrial packages, including isolated types.

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