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IXFH58N20

Name: IXYS IXFH58N20
Brand: IXYS
SKU: 747-IXFH58N20
Price: 8.84 CHF
Availability: Discontinued

Bilder dienen lediglich der Veranschaulichung und sind nicht Originalgetreu
Siehe Produktspezifikationen

Mouser-Nr.:

747-IXFH58N20

Herst.- Nr.:

IXFH58N20

Herst.:

IXYS

Lebenszyklus:

NRND:

Nicht empfohlen für neue Designs.

Datenblatt:

ECAD Model:

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Hersteller:	IXYS
Produktkategorie:	MOSFETs
RoHS:
Technologie:	Si
Montageart:	Through Hole
Verpackung/Gehäuse:	TO-247-3
Transistorpolung:	N-Channel
Anzahl der Kanäle:	1 Channel
Vds - Drain-Source-Durchschlagspannung:	200 V
Id - Drain-Gleichstrom:	58 A
Rds On - Drain-Source-Widerstand:	40 mOhms
Vgs - Gate-Source-Spannung:	- 20 V, 20 V
Minimale Betriebstemperatur:	- 55 C
Maximale Betriebstemperatur:	+ 150 C
Pd - Verlustleistung:	300 W
Kanalmodus:	Enhancement
Handelsname:	HyperFET
Verpackung:	Tube
Marke:	IXYS
Konfiguration:	Single
Abfallzeit:	16 ns
Durchlassleitwert (Vorwärtstranskonduktanz) min.:	32 S
Produkt-Typ:	MOSFETs
Anstiegszeit:	15 ns
Serie:	HiPerFET
Verpackung ab Werk:	30
Unterkategorie:	Transistors
Transistorart:	1 N-Channel
Regelabschaltverzögerungszeit:	72 ns
Typische Einschaltverzögerungszeit:	18 ns
Gewicht pro Stück:	6 g