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IXFH22N50P

Name: IXYS IXFH22N50P
Brand: IXYS
SKU: 747-IXFH22N50P
Price: 7.41 CHF
Availability: InStock

Bilder dienen lediglich der Veranschaulichung und sind nicht Originalgetreu
Siehe Produktspezifikationen

Mouser-Nr.:

747-IXFH22N50P

Herst.- Nr.:

IXFH22N50P

Herst.:

IXYS

Beschreibung:

MOSFETs 500V 22A

Datenblatt:

IXFH22N50P Datenblatt

ECAD Model:

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Hersteller:	IXYS
Produktkategorie:	MOSFETs
RoHS:
Technologie:	Si
Montageart:	Through Hole
Verpackung/Gehäuse:	TO-247-3
Transistorpolung:	N-Channel
Anzahl der Kanäle:	1 Channel
Vds - Drain-Source-Durchschlagspannung:	500 V
Id - Drain-Gleichstrom:	22 A
Rds On - Drain-Source-Widerstand:	270 mOhms
Vgs - Gate-Source-Spannung:	- 30 V, 30 V
Vgs th - Gate-Source-Schwellspannung:	5.5 V
Qg - Gate-Ladung:	55 nC
Minimale Betriebstemperatur:	- 55 C
Maximale Betriebstemperatur:	+ 150 C
Pd - Verlustleistung:	350 W
Kanalmodus:	Enhancement
Handelsname:	HiPerFET
Verpackung:	Tube
Marke:	IXYS
Konfiguration:	Single
Abfallzeit:	21 ns
Durchlassleitwert (Vorwärtstranskonduktanz) min.:	20 S
Produkt-Typ:	MOSFETs
Anstiegszeit:	25 ns
Serie:	IXFH22N50
Verpackung ab Werk:	30
Unterkategorie:	Transistors
Transistorart:	1 N-Channel
Regelabschaltverzögerungszeit:	72 ns
Typische Einschaltverzögerungszeit:	22 ns
Gewicht pro Stück:	6 g

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Datenblatt

IXFH22N50P Datenblatt

PCN

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Konformitätscodes

CNHTS:: 8541290000
CAHTS:: 8541290000
USHTS:: 8541290065
JPHTS:: 8541290100
KRHTS:: 8541299000
TARIC:: 8541100000
MXHTS:: 8541100101
ECCN:: EAR99

Ursprungsklassifikationen

Ursprungsland:: Korea, Republik von
Herstellungsland:: Nicht lieferbar
Land der Verbreitung:: Nicht lieferbar

Zum Zeitpunkt der Lieferung kann sich das Land ändern.

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