Scheinbar haben Sie Javascript in Ihrem Browser deaktiviert. Einige Funktionen auf dieser Seite funktionieren nur, wenn Sie sich anmelden.

Wird ein Fehler angezeigt?

IXFB40N110Q3

Name: IXYS IXFB40N110Q3
Brand: IXYS
SKU: 747-IXFB40N110Q3
Price: 35.73 CHF
Availability: OutOfStock

Bilder dienen lediglich der Veranschaulichung und sind nicht Originalgetreu
Siehe Produktspezifikationen

Mouser-Nr.:

747-IXFB40N110Q3

Herst.- Nr.:

IXFB40N110Q3

Herst.:

IXYS

Beschreibung:

MOSFETs DiscMSFT NChHiPerFET-Q3 Class TO-264(3)

Datenblatt:

IXFB40N110Q3 Datenblatt

ECAD Model:

Den kostenlosen Library Loader herunterladen, um diese Datei für Ihr ECAD Tool zu konvertieren. Weitere Infos zu ECAD-Modell.

Mehr über

Weitere Informationen zu IXYS IXFB40N110Q3

Verfügbarkeit

Lagerbestand:: Nicht auf Lager

Ein unerwarteter Fehler ist aufgetreten. Bitte versuchen Sie es später noch einmal.
Lieferzeit ab Hersteller:: 21 Wochen Geschätzte Produktionszeit des Werks.

Menge eingeben:

Minimum: 300 Vielfache: 25

Stückpreis:

-.-- CHF

Erw. Preis:

-.-- CHF

Vorauss. Zolltarif:

Dieses Produkt wird KOSTENLOS versandt

Preis (CHF)

Menge	Stückpreis	Erw. Preis
	35.73 CHF	10 719.00 CHF

.hidden-for-nojs { display: none; } .pull-right-nojs { justify-content: flex-end; }

Produktattribut	Attributwert	Attribut auswählen
Hersteller:	IXYS
Produktkategorie:	MOSFETs
RoHS:
REACH - SVHC:
Technologie:	Si
Montageart:	Through Hole
Verpackung/Gehäuse:	PLUS-264-3
Transistorpolung:	N-Channel
Anzahl der Kanäle:	1 Channel
Vds - Drain-Source-Durchschlagspannung:	1.1 kV
Id - Drain-Gleichstrom:	40 A
Rds On - Drain-Source-Widerstand:	260 mOhms
Vgs - Gate-Source-Spannung:	- 30 V, 30 V
Vgs th - Gate-Source-Schwellspannung:	3.5 V
Qg - Gate-Ladung:	300 nC
Minimale Betriebstemperatur:	- 55 C
Maximale Betriebstemperatur:	+ 150 C
Pd - Verlustleistung:	1.56 kW
Kanalmodus:	Enhancement
Handelsname:	HiPerFET
Verpackung:	Tube
Marke:	IXYS
Konfiguration:	Single
Abfallzeit:	26 ns
Durchlassleitwert (Vorwärtstranskonduktanz) min.:	14 S
Produkt-Typ:	MOSFETs
Anstiegszeit:	68 ns
Serie:	Q3-Class
Verpackung ab Werk:	25
Unterkategorie:	Transistors
Transistorart:	1 N-Channel
Regelabschaltverzögerungszeit:	74 ns
Typische Einschaltverzögerungszeit:	47 ns
Gewicht pro Stück:	1,600 g

Produkte gefunden:

Um ähnliche Produkte anzuzeigen, wählen Sie mindestens ein Kontrollkästchen aus

Um ähnliche Produkte in dieser Kategorie anzuzeigen, wählen Sie mindestens ein Kontrollkästchen oben aus.

Ausgewählte Attribute: 0

Dokument filtern:

Datenblatt

IXFB40N110Q3 Datenblatt

Für diese Funktionalität ist die Aktivierung von JavaScript erforderlich.

Konformitätscodes

CNHTS:: 8541290000
CAHTS:: 8541290000
USHTS:: 8541290065
JPHTS:: 8541290100
KRHTS:: 8541299000
TARIC:: 8541290000
MXHTS:: 85412999
ECCN:: EAR99

Ursprungsklassifikationen

Ursprungsland:: Philippinen
Herstellungsland:: Nicht lieferbar
Land der Verbreitung:: Nicht lieferbar

Zum Zeitpunkt der Lieferung kann sich das Land ändern.

HiPerFET™-Leistungs-MOSFETs der Q3-Klasse

IXYS Q3-Klasse HiperFET™ Leistungs-MOSFETs bieten dem Endverbraucher ein großes Angebot von Bauteilen, die eine außergewöhnliche Stromschaltleistung aufweisen. Sie bieten außerdem hervorragende thermische Eigenschaften, eine verbesserte Robustheit der Bauteile und eine hohe Energieeffizienz. Diese MOSFETs sind mit einer Drain-Source-Spannung von 200 V bis 1.000 V und einem Drainstrom von 10 A bis 100 A erhältlich. Diese Eigenschaften machen die Q3-Klasse zu einer optimierten Kombination aus niedrigem Einschaltwiderstand (R_dson) und einer Gate-Ladung (Q_g), wodurch die Leitungs- und Schaltverluste des Bauteils erheblich reduziert werden. Durch die Verwendung des HiperFET-Prozesses werden die Stromschaltfunktionen und die Robustheit der Bauteile weiter verbessert. Dieser Prozess führt zu einem Bauteil mit einem schnellen intrinsischen Gleichrichter, der für eine niedrige Sperrverzögerungsladung (Q_rr) sorgt und gleichzeitig die dv/dt-Werte des Bauteils verbessert (bis zu 50 V/ns).

Kraftstoffbetriebene/hybride Militär-UAV-Systeme

Die kraftstoffbetriebenen/hybriden militärischen UAV-Systeme von Littelfuse bieten Lösungen für die Stromumwandlung und den Gleichstrombus, die Stromverteilung sowie Ladegeräte und Erdungsstromversorgung. Diese Systeme unterstützen die Stromumwandlung und einen Gleichstrombus mit einer Gleichrichterdiode, die die Wechselstrom-Netzspannung in Gleichstrom umwandelt. Die kraftstoffbetriebenen/hybriden militärischen unbemannten Luftfahrzeugsysteme (UAV) bieten TVS-Dioden, Sicherungen und MOSFETs für Halbleiterschalter, Überspannungsschutz und Gleichrichtung. Diese Systeme bieten Produkte in AEC-Q/MIL-Qualität für verschiedene Anwendungsbereiche. Typische Anwendungsbereiche sind Unterbrechungs-Serviceprogramme (ISR), Militär, Grenzüberwachung, Landwirtschaft, Zustellung/Logistik, Inspektion und öffentliche Sicherheit.

Kommerzielle & taktische UAV-Systeme

Littelfuse kommerzielle und taktische UAV-Systeme bieten Lösungen für den Schutz von Li-Ionen-Akkus, Ladegeräte und die Stromverteilung. Diese Systeme umfassen Sicherungen für den Eingangsschutz/Überstromschutz, MOSFETs für die Halbleiterschaltung und TVS-Dioden für den Schutz vor Transienten und Überspannungen am Gleichstromausgang. Die kommerziellen und taktischen UAV-Systeme bieten Batterieschutz >60 V und ermöglichen die Fehlerisolierung des Hauptakkus, die Batterietrennung/Strompfadsteuerung (Vorladungsunterstützung) sowie den Überstromschutz für Abzweigstromkreise. Typische Anwendungsbereiche sind Unterbrechungs-Serviceprogramme (ISR), Militär, Grenzüberwachung, Landwirtschaft, Zustellung/Logistik, Inspektion und öffentliche Sicherheit.

Elektrofahrzeug DC-Schnelladegeräte

Die Ladelösungen für das elektrische Fahrzeug (EV) von Littelfuse umfassen Off-Board-DC-Schnellladegeräte. Die EV-Ladelösungen von Littelfuse ermöglichen Designern die Auswahl der richtigen Lösung, um zu gewährleisten, dass die EV-Ladeeinheiten funktionstüchtig und sicher sind.

HiPerFET™ Power MOSFETs

IXYS HiPerFET™ Power MOSFETs are for hard switching and resonant mode applications. The devices offer low gate charge, excellent ruggedness with a fast intrinsic diode, and higher current handling capability that eliminates the need for multiple components. These high current HiPerFET MOSFETs are available in standard industrial packages, including isolated types.