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IXFA7N100P

Name: IXYS IXFA7N100P
Brand: IXYS
SKU: 747-IXFA7N100P
Price: 6.84 CHF
Availability: InStock

Bilder dienen lediglich der Veranschaulichung und sind nicht Originalgetreu
Siehe Produktspezifikationen

Mouser-Nr.:

747-IXFA7N100P

Herst.- Nr.:

IXFA7N100P

Herst.:

IXYS

Beschreibung:

MOSFETs 7 Amps 1000V

Datenblatt:

IXFA7N100P Datenblatt

ECAD Model:

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Hersteller:	IXYS
Produktkategorie:	MOSFETs
RoHS:
REACH - SVHC:
Technologie:	Si
Montageart:	SMD/SMT
Verpackung/Gehäuse:	D2PAK-3 (TO-263-3)
Transistorpolung:	N-Channel
Anzahl der Kanäle:	1 Channel
Vds - Drain-Source-Durchschlagspannung:	1 kV
Id - Drain-Gleichstrom:	7 A
Rds On - Drain-Source-Widerstand:	1.9 Ohms
Vgs - Gate-Source-Spannung:	- 30 V, 30 V
Vgs th - Gate-Source-Schwellspannung:	6 V
Qg - Gate-Ladung:	47 nC
Minimale Betriebstemperatur:	- 55 C
Maximale Betriebstemperatur:	+ 150 C
Pd - Verlustleistung:	300 W
Kanalmodus:	Enhancement
Handelsname:	HiPerFET
Verpackung:	Tube
Marke:	IXYS
Abfallzeit:	44 ns
Durchlassleitwert (Vorwärtstranskonduktanz) min.:	3.6 S
Produkt-Typ:	MOSFETs
Anstiegszeit:	49 ns
Serie:	IXFA7N100
Verpackung ab Werk:	50
Unterkategorie:	Transistors
Regelabschaltverzögerungszeit:	42 ns
Typische Einschaltverzögerungszeit:	25 ns
Gewicht pro Stück:	1,600 g

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Datenblatt

IXFA7N100P Datenblatt

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Konformitätscodes

CNHTS:: 8541290000
CAHTS:: 8541290000
USHTS:: 8541290065
JPHTS:: 8541290100
KRHTS:: 8541299000
TARIC:: 8541500000
MXHTS:: 85415001
ECCN:: EAR99

Ursprungsklassifikationen

Ursprungsland:: Korea, Republik von
Herstellungsland:: Nicht lieferbar
Land der Verbreitung:: Nicht lieferbar

Zum Zeitpunkt der Lieferung kann sich das Land ändern.

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