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IXFA180N10T2

Name: IXYS IXFA180N10T2
Brand: IXYS
SKU: 747-IXFA180N10T2
Price: 7.45 CHF
Availability: InStock

Bilder dienen lediglich der Veranschaulichung und sind nicht Originalgetreu
Siehe Produktspezifikationen

Mouser-Nr.:

747-IXFA180N10T2

Herst.- Nr.:

IXFA180N10T2

Herst.:

IXYS

Beschreibung:

MOSFETs Trench T2 HiperFET Power MOSFET

Datenblatt:

IXFA180N10T2 Datenblatt

ECAD Model:

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Produktattribut	Attributwert	Attribut auswählen
Hersteller:	IXYS
Produktkategorie:	MOSFETs
RoHS:
REACH - SVHC:
Technologie:	Si
Montageart:	SMD/SMT
Verpackung/Gehäuse:	TO-263-3
Transistorpolung:	N-Channel
Anzahl der Kanäle:	1 Channel
Vds - Drain-Source-Durchschlagspannung:	100 V
Id - Drain-Gleichstrom:	180 A
Rds On - Drain-Source-Widerstand:	6 mOhms
Vgs - Gate-Source-Spannung:	- 20 V, 20 V
Vgs th - Gate-Source-Schwellspannung:	2 V
Qg - Gate-Ladung:	185 nC
Minimale Betriebstemperatur:	- 55 C
Maximale Betriebstemperatur:	+ 175 C
Pd - Verlustleistung:	480 W
Kanalmodus:	Enhancement
Handelsname:	HiPerFET
Verpackung:	Tube
Marke:	IXYS
Konfiguration:	Single
Abfallzeit:	13 ns
Durchlassleitwert (Vorwärtstranskonduktanz) min.:	50 S
Produkt-Typ:	MOSFETs
Anstiegszeit:	37 ns
Serie:	IXFA180N10
Verpackung ab Werk:	50
Unterkategorie:	Transistors
Transistorart:	1 N-Channel
Regelabschaltverzögerungszeit:	34 ns
Typische Einschaltverzögerungszeit:	21 ns
Gewicht pro Stück:	4 g

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Datenblatt

IXFA180N10T2 Datenblatt

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Konformitätscodes

CNHTS:: 8541290000
TARIC:: 8541290000
CAHTS:: 8541290000
USHTS:: 8541290065
JPHTS:: 854129000
KRHTS:: 8541299000
MXHTS:: 8541299900
ECCN:: EAR99

Ursprungsklassifikationen

Ursprungsland:: Korea, Republik von
Herstellungsland:: Korea, Republik von
Land der Verbreitung:: Nicht lieferbar

Zum Zeitpunkt der Lieferung kann sich das Land ändern.

Kommerzielle & taktische UAV-Systeme

Littelfuse kommerzielle und taktische UAV-Systeme bieten Lösungen für den Schutz von Li-Ionen-Akkus, Ladegeräte und die Stromverteilung. Diese Systeme umfassen Sicherungen für den Eingangsschutz/Überstromschutz, MOSFETs für die Halbleiterschaltung und TVS-Dioden für den Schutz vor Transienten und Überspannungen am Gleichstromausgang. Die kommerziellen und taktischen UAV-Systeme bieten Batterieschutz >60 V und ermöglichen die Fehlerisolierung des Hauptakkus, die Batterietrennung/Strompfadsteuerung (Vorladungsunterstützung) sowie den Überstromschutz für Abzweigstromkreise. Typische Anwendungsbereiche sind Unterbrechungs-Serviceprogramme (ISR), Militär, Grenzüberwachung, Landwirtschaft, Zustellung/Logistik, Inspektion und öffentliche Sicherheit.

Kraftstoffbetriebene/hybride Militär-UAV-Systeme

Die kraftstoffbetriebenen/hybriden militärischen UAV-Systeme von Littelfuse bieten Lösungen für die Stromumwandlung und den Gleichstrombus, die Stromverteilung sowie Ladegeräte und Erdungsstromversorgung. Diese Systeme unterstützen die Stromumwandlung und einen Gleichstrombus mit einer Gleichrichterdiode, die die Wechselstrom-Netzspannung in Gleichstrom umwandelt. Die kraftstoffbetriebenen/hybriden militärischen unbemannten Luftfahrzeugsysteme (UAV) bieten TVS-Dioden, Sicherungen und MOSFETs für Halbleiterschalter, Überspannungsschutz und Gleichrichtung. Diese Systeme bieten Produkte in AEC-Q/MIL-Qualität für verschiedene Anwendungsbereiche. Typische Anwendungsbereiche sind Unterbrechungs-Serviceprogramme (ISR), Militär, Grenzüberwachung, Landwirtschaft, Zustellung/Logistik, Inspektion und öffentliche Sicherheit.

Elektrofahrzeug DC-Schnelladegeräte

Die Ladelösungen für das elektrische Fahrzeug (EV) von Littelfuse umfassen Off-Board-DC-Schnellladegeräte. Die EV-Ladelösungen von Littelfuse ermöglichen Designern die Auswahl der richtigen Lösung, um zu gewährleisten, dass die EV-Ladeeinheiten funktionstüchtig und sicher sind.

Gen2 Trench Gate Power MOSFETs

IXYS Gen2 Trench Gate Power MOSFETs are offered with drain-to-source voltage ratings from 40V to 170V and provide high current capabilities of up to 600A (T_C=@25°C). The combined high current ratings of these devices and available compact package options provide designers the ability to control more power within a smaller footprint. These IXYS devices promote device consolidation through the reduction or elimination of multiple paralleled lower current rated MOSFET devices in high power switching applications. The resultant effect is a reduction in part count, as well as the number of required drive components, thus improving upon over-all system simplicity, reliability, and cost.

HiPerFET™ Power MOSFETs

IXYS HiPerFET™ Power MOSFETs are for hard switching and resonant mode applications. The devices offer low gate charge, excellent ruggedness with a fast intrinsic diode, and higher current handling capability that eliminates the need for multiple components. These high current HiPerFET MOSFETs are available in standard industrial packages, including isolated types.