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IXFA12N50P

Name: IXYS IXFA12N50P
Brand: IXYS
SKU: 747-IXFA12N50P
Price: 5.32 CHF
Availability: InStock

Bilder dienen lediglich der Veranschaulichung und sind nicht Originalgetreu
Siehe Produktspezifikationen

Mouser-Nr.:

747-IXFA12N50P

Herst.- Nr.:

IXFA12N50P

Herst.:

IXYS

Beschreibung:

MOSFETs 500V 12A

Datenblatt:

IXFA12N50P Datenblatt

ECAD Model:

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	5.32 CHF	5.32 CHF
	3.40 CHF	34.00 CHF
	2.55 CHF	255.00 CHF
	2.16 CHF	1 080.00 CHF
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.hidden-for-nojs { display: none; } .pull-right-nojs { justify-content: flex-end; }

Produktattribut	Attributwert	Attribut auswählen
Hersteller:	IXYS
Produktkategorie:	MOSFETs
RoHS:
REACH - SVHC:
Technologie:	Si
Montageart:	SMD/SMT
Verpackung/Gehäuse:	D2PAK-3 (TO-263-3)
Transistorpolung:	N-Channel
Anzahl der Kanäle:	1 Channel
Vds - Drain-Source-Durchschlagspannung:	500 V
Id - Drain-Gleichstrom:	12 A
Rds On - Drain-Source-Widerstand:	500 mOhms
Vgs - Gate-Source-Spannung:	- 30 V, 30 V
Vgs th - Gate-Source-Schwellspannung:	5.5 V
Qg - Gate-Ladung:	29 nC
Minimale Betriebstemperatur:	- 55 C
Maximale Betriebstemperatur:	+ 150 C
Pd - Verlustleistung:	200 W
Kanalmodus:	Enhancement
Handelsname:	HiPerFET
Verpackung:	Tube
Marke:	IXYS
Konfiguration:	Single
Abfallzeit:	20 ns
Durchlassleitwert (Vorwärtstranskonduktanz) min.:	7.5 S
Produkt-Typ:	MOSFETs
Anstiegszeit:	27 ns
Serie:	IXFA12N50P
Verpackung ab Werk:	50
Unterkategorie:	Transistors
Transistorart:	1 N-Channel
Regelabschaltverzögerungszeit:	65 ns
Typische Einschaltverzögerungszeit:	22 ns
Gewicht pro Stück:	4 g

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Datenblatt

IXFA12N50P Datenblatt

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Konformitätscodes

CNHTS:: 8541290000
CAHTS:: 8541290000
USHTS:: 8541290065
JPHTS:: 8541290100
KRHTS:: 8541299000
TARIC:: 8541500000
MXHTS:: 85415001
ECCN:: EAR99

Ursprungsklassifikationen

Ursprungsland:: Korea, Republik von
Herstellungsland:: Nicht lieferbar
Land der Verbreitung:: Nicht lieferbar

Zum Zeitpunkt der Lieferung kann sich das Land ändern.

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