IXBF42N300

IXYS
747-IXBF42N300
IXBF42N300

Herst.:

Beschreibung:
MOSFETs ISOPLUS 3KV 24A DIODE

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IXYS
Produktkategorie: MOSFETs
RoHS:  
Si
Through Hole
ISOPLUS-i4-PAK-3
BIMOSFET
Tube
Marke: IXYS
Produkt-Typ: MOSFETs
Verpackung ab Werk: 25
Unterkategorie: Transistors
Gewicht pro Stück: 6.500 g
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CNHTS:
8541290000
CAHTS:
8541290000
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8541290065
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8541290100
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TARIC:
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MXHTS:
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ECCN:
EAR99

Rückwärtsleitende (BiMOSFET™) Hochspannungs-IGBTs

IXYS Rückwärtsleitende (BiMOSFET™) IGBTs mit 2.500 V bis 3.600 V der Höchstspannungs-Baureihe kombinieren die Stärke von MOSFETs sowie IGBTs. Diese Hochspannungs-Bauteile eignen sich dank des positiven Temperaturkoeffizienten sowohl der Sättigungsspannung als auch des Durchlass-Spannungsabfalls ihrer intrinsischen Diode hervorragend für einen parallelgeschalteten Betrieb. Die „freie“ intrinsische Bodydiode erfüllt die Funktion einer Schutzdiode, indem sie einen alternativen Pfad für den induktiven Laststrom während des Abschaltens des Geräts bietet. Dadurch können hohe Ldi/dt-Spannungstransienten und somit Schäden am Gerät verhindert werden.