LF2113BTR

IXYS Integrated Circuits
747-LF2113BTR
LF2113BTR

Herst.:

Beschreibung:
Gate-Treiber HI LO Side DRVR 600V 2A SOIC-16

Datenblatt:
ECAD Model:
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Stückpreis:
-.-- CHF
Erw. Preis:
-.-- CHF
Vorauss. Zolltarif:
Gehäuse:
Ganzes Reel (Sie bestellen ein Vielfaches von 1500)

Preis (CHF)

Menge Stückpreis
Erw. Preis
Gurtabschnitt / MouseReel™ †
2.09 CHF 2.09 CHF
1.56 CHF 15.60 CHF
1.42 CHF 35.50 CHF
1.28 CHF 128.00 CHF
1.21 CHF 302.50 CHF
1.17 CHF 585.00 CHF
1.04 CHF 1 040.00 CHF
Ganzes Reel (Sie bestellen ein Vielfaches von 1500)
1.04 CHF 1 560.00 CHF
† Für die MouseReel™ wird Ihrem Warenkorb automatisch eine Gebühr von 7.00 CHF hinzugefügt. MouseReel™ Bestellungen sind weder stornierbar, noch können sie zurückgegeben werden. ↩

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IXYS
Produktkategorie: Gate-Treiber
RoHS:  
IGBT, MOSFET Gate Drivers
High-Side, Low-Side
SMD/SMT
SOIC-16
2 Driver
2 Output
10 V
20 V
15 ns
13 ns
- 40 C
+ 125 C
Reel
Cut Tape
MouseReel
Marke: IXYS Integrated Circuits
Land der Bestückung: Not Available
Land der Verbreitung: Not Available
Ursprungsland: CN
Logiktyp: CMOS
Maximale Abschaltverzögerungszeit: 94 ns
Maximale Anschaltverzögerungszeit: 105 ns
Feuchtigkeitsempfindlich: Yes
Betriebsversorgungsstrom: 56 uA
Pd - Verlustleistung: 1.25 W
Produkt-Typ: Gate Drivers
Verzögerungszeit - Max.: 20 ns
Verpackung ab Werk: 1500
Unterkategorie: PMIC - Power Management ICs
Technologie: Si
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Ausgewählte Attribute: 0

Datenblatt

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CNHTS:
8542399000
USHTS:
8542390090
TARIC:
8542399000
ECCN:
EAR99

High-Side- und Low-Side-Gate-Treiber-ICs

IXYS High-Side- und Low-Side-Gate-Treiber-ICs bieten eine Senken-/Quellen-Ausgangsstrombelastbarkeit von 600 mA/290 mA bis 4,5 A/4,5 A. Die Bauteile verfügen über einen großen Betriebsspannungsbereich von 10 V bis 20 V. Zu den Schutzfunktionen gehören Unterspannungssperre (UVLO) und Durchzündungsschutz. Die High-Side- und Low-Side-Gate-Treiber-ICs von IXYS werden von -40 °C bis +125 °C betrieben und sind in SOIC-8-, -14-, -16-Industriestandard-Gehäusen und Pinbelegungen verfügbar.

Gate-Treiber für N-Kanal-MOSFETs und IGBTs

Die Gate-Treiber für N-Kanal-MOSFETs und IGBTs von IXYS umfassen Hochspannungs-Gate-Treiber mit hoher Geschwindigkeit und dreiphasige Gate-Treiber-ICs. Diese Bauteile sind für die Ansteuerung von zwei N-Kanal-MOSFETs oder IGBTs in einer Halbbrückenkonfiguration oder High-Side/Low-Side-Konfiguration ausgelegt. Die Hochspannungstechnologie ermöglicht es, die Hochspannungsseite im Bootstrap-Betrieb auf 600 V zu schalten. Die Treiber bieten Puffer mit hohem Impulsstrom, die für minimale Treiber-Querströme ausgelegt sind. Zu den weiteren Merkmalen gehören Logikschaltungen mit 3,3-V-Fähigkeit, Schmitt-getriggerte Logikeingänge und UVLO-Schutz (Unterspannungssperre). Die Gate-Treiber für N-Kanal-MOSFETs und IGBTs von IXYS arbeiten über einen erweiterten Temperaturbereich von -40 °C bis +125 °C.

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