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IXRFD630

Bilder dienen lediglich der Veranschaulichung und sind nicht Originalgetreu
Siehe Produktspezifikationen

Mouser-Nr.:

747-IXRFD630

Herst.- Nr.:

IXRFD630

Herst.:

IXYS Integrated Circuits

Beschreibung:

Gate-Treiber IXRFD630 30A, 30V MOSFET Driver

Lebenszyklus:

abgekündigt

Datenblatt:

IXRFD630 Datenblatt (PDF)

ECAD Model:

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Versandmeldung:

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Verfügbarkeit

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Hersteller:	IXYS
Produktkategorie:	Gate-Treiber
Versandbeschränkungen:	Mouser verkauft dieses Produkt nicht in Ihre Region.
RoHS:
REACH - SVHC:
Produkt:	MOSFET Gate Drivers
Typ:	Low-Side
Montageart:	SMD/SMT
Verpackung/Gehäuse:	SMD-6
Anzahl der Treiber:	1 Driver
Anzahl der Ausgänge:	1 Output
Ausgangsstrom:	30 A
Versorgungsspannung - Min.:	8 V
Versorgungsspannung - Max.:	18 V
Anstiegszeit:	4 ns
Abfallzeit:	4 ns
Minimale Betriebstemperatur:	- 40 C
Maximale Betriebstemperatur:	+ 85 C
Verpackung:	Tube
Marke:	IXYS Integrated Circuits
Maximale Abschaltverzögerungszeit:	22 ns
Maximale Anschaltverzögerungszeit:	24 ns
Betriebsversorgungsstrom:	5 mA
Pd - Verlustleistung:	100 W
Produkt-Typ:	Gate Drivers
Abschaltung:	No Shutdown
Verpackung ab Werk:	30
Unterkategorie:	PMIC - Power Management ICs
Technologie:	Si
Gewicht pro Stück:	6,500 g

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PCN

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Konformitätscodes

CNHTS:: 8542399000
USHTS:: 8542390090
JPHTS:: 8541290100
ECCN:: EAR99

Ursprungsklassifikationen

Ursprungsland:: Philippinen
Herstellungsland:: Nicht lieferbar
Land der Verbreitung:: Nicht lieferbar

Zum Zeitpunkt der Lieferung kann sich das Land ändern.

MOSFET-Gate-Treiber

Die MOSFET-Gate-Treiber von IXYS sind Hochleistungs-Gate-Treiber mit hoher Stromstärke und sind für den Antrieb von MOSFETs in HF-Applikationen der Klasse D und E ausgelegt. Sie eignen sich hervorragend für Applikationen, die extrem schnelle Anstiegs- und Abfallzeiten oder kurze Mindestimpulslängen erfordern. Über den gesamten Betriebsbereich sind die MOSFET-Gate-Treiber immun gegen Latch-Up, wegen ihres Designs werden Querstrom und Strom-Durchzündung quasi eliminiert. Diese oberflächenmontierbaren MOSFET-Gate-Treiber sind in HF-Gehäusen mit niedriger Induktanz untergebracht und integrieren fortschrittliche Layout-Techniken zur Reduzierung von Streuinduktanz für optimale Schaltleistungen.
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