IS66WV51216EBLL-70TLI-TR

ISSI
870-651216EBLL70TLIT
IS66WV51216EBLL-70TLI-TR

Herst.:

Beschreibung:
SRAM 8Mb,Pseudo SRAM,Async,512K x 16,70ns,2.5v-3.6v,44 Pin TSOP II, RoHS

ECAD Model:
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Min:
1

Produktattribut Attributwert Attribut auswählen
ISSI
Produktkategorie: SRAM
RoHS:  
8 Mbit
512 k x 16
70 ns
Parallel
3.6 V
2.5 V
28 mA
- 40 C
+ 85 C
SMD/SMT
TSOP-44
Reel
Cut Tape
MouseReel
Marke: ISSI
Speichertyp: SDR
Feuchtigkeitsempfindlich: Yes
Produkt-Typ: SRAM
Serie: IS66WV51216EBLL
Verpackung ab Werk: 1000
Unterkategorie: Memory & Data Storage
Typ: Asynchronous
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Ausgewählte Attribute: 0

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CNHTS:
8542329010
USHTS:
8542320002
JPHTS:
854232021
KRHTS:
8542321010
TARIC:
8542324500
MXHTS:
8542320201
ECCN:
EAR99

Pseudo SRAM/CellularRAM

ISSI Pseudo SRAM/CellularRAM Devices offer the best of both DRAM and SRAM features. ISSI PSRAM/CellularRAM has an SRAM-like architecture. Unlike DRAM, there is a hidden re-fresh feature that does not require a physical refresh. These CellularRAM devices are designed in accordance with the CellularRAM standards and are available in CRAM 1.5 and CRAM 2.0.