GS8161E18DGD-250

Name: GSI Technology GS8161E18DGD-250
Brand: GSI Technology
SKU: 464-GS8161E18DGD-250
Price: 18.92 CHF
Availability: OutOfStock

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Siehe Produktspezifikationen

Mouser-Nr.:

464-GS8161E18DGD-250

Herst.- Nr.:

GS8161E18DGD-250

Herst.:

GSI Technology

Beschreibung:

SRAM 2.5 or 3.3V 1M x 18 18M

Datenblatt:

GS8161E18DGD-250 Datenblatt (PDF)

ECAD Model:

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1 008	Kostenvoranschlag

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Produktattribut	Attributwert	Attribut auswählen
Hersteller:	GSI Technology
Produktkategorie:	SRAM
RoHS:
Speichergröße:	18 Mbit
Organisation:	1 M x 18
Zugangszeit:	5.5 ns
Maximale Taktfrequenz:	250 MHz
Schnittstellen-Typ:	Parallel
Versorgungsspannung - Max.:	3.6 V
Versorgungsspannung - Min.:	2.3 V
Versorgungsstrom - Max.:	210 mA, 230 mA
Minimale Betriebstemperatur:	0 C
Maximale Betriebstemperatur:	+ 70 C
Montageart:	SMD/SMT
Verpackung/Gehäuse:	BGA-165
Verpackung:	Tray
Marke:	GSI Technology
Speichertyp:	SDR
Feuchtigkeitsempfindlich:	Yes
Produkt-Typ:	SRAM
Serie:	GS8161E18DGD
Verpackung ab Werk:	36
Unterkategorie:	Memory & Data Storage
Handelsname:	SyncBurst
Typ:	DCD Pipeline/Flow Through

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Datenblatt

GS8161E18DGD-250 Datenblatt (PDF)

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SyncBurst SRAMs

Die SyncBurst SRAMs von GSI Technology gehören zu einem umfassenden Portfolio synchroner Burst-SRAMs (SyncBurst™) mit hoher Taktrate und geringer Leistungsaufnahme. SyncBurst SRAMs liefern einen „Burst“ von (typischerweise) 2 bis 4 Wörtern pro Taktsignal. Die vereinfachte Schnittstelle des Gerätes ist für die Nutzung der maximalen Bandbreite des Datenbus designt. SyncBurst SRAMs werden in Militär-, Netzwerk-, Industrie-, Automobil- und medizinischen Bildgebungsapplikationen verwendet, die eine mittlere Leistung voraussetzen.
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