EPC2307

65-EPC2307
EPC2307

Herst.:

Beschreibung:
GaN FETs EPC eGaN FET,200 V, 10 milliohm at 5 V, 3 mm x 5 mm QFN

Lebenszyklus:
Neu bei Mouser
Datenblatt:
ECAD Model:
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CHF 2.74 CHF 27.40
CHF 1.96 CHF 196.00
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Ganzes Reel (Sie bestellen ein Vielfaches von 3000)
CHF 1.58 CHF 4 740.00

Produktattribut Attributwert Attribut auswählen
EPC
Produktkategorie: GaN FETs
RoHS:  
SMD/SMT
QFN-7
N-Channel
1 Channel
200 V
63 A
10 mOhms
6 V, - 4 V
2.5 V
10.1 nC
- 40 C
+ 150 C
Enhancement
eGaN FET
Marke: EPC
Konfiguration: Single
Feuchtigkeitsempfindlich: Yes
Verpackung: Reel
Verpackung: Cut Tape
Produkt: Power Transistor
Produkt-Typ: GaN FETs
Verpackung ab Werk: 3000
Unterkategorie: Transistors
Technologie: GaN
Transistorart: 1 N-Channel
Gewicht pro Stück: 30.300 mg
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Ausgewählte Attribute: 0

Datenblatt

CNHTS:
8541290000
CAHTS:
8541290000
USHTS:
8541290040
JPHTS:
854129000
KRHTS:
8541299000
TARIC:
8541290000
MXHTS:
8541299900
ECCN:
EAR99

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