EPC2103

EPC
65-EPC2103
EPC2103

Herst.:

Beschreibung:
GaN FETs EPC eGaN Symetrical Half Bridge80 V, 5.5 milliohm at 5 V, BGA 6.05 x 2.3

Lebenszyklus:
Neu bei Mouser
ECAD Model:
Den kostenlosen Library Loader herunterladen, um diese Datei für Ihr ECAD Tool zu konvertieren. Weitere Infos zu ECAD-Modell.

Auf Lager: 930

Lagerbestand:
930 sofort lieferbar
Lieferzeit ab Hersteller:
18 Wochen Geschätzte Produktionszeit des Werks für Mengen, die größer als angezeigt sind.
Minimum: 1   Vielfache: 1
Stückpreis:
-.-- CHF
Erw. Preis:
-.-- CHF
Vorauss. Zolltarif:

Preis (CHF)

Menge Stückpreis
Erw. Preis
9.13 CHF 9.13 CHF
6.32 CHF 63.20 CHF
4.91 CHF 491.00 CHF
Ganzes Reel (Sie bestellen ein Vielfaches von 500)
4.17 CHF 2 085.00 CHF

Produktattribut Attributwert Attribut auswählen
EPC
Produktkategorie: GaN FETs
RoHS:  
SMD/SMT
Die
N-Channel
2-Channel
80 V
30 A
5.5 mOhms
6 V, - 4 V
2.5 V
6.5 nC, 6.5 nC
- 40 C
+ 150 C
Enhancement
eGaN FET
Marke: EPC
Konfiguration: Dual
Verpackung: Reel
Verpackung: Cut Tape
Produkt: Power Transistor
Produkt-Typ: GaN FETs
Verpackung ab Werk: 500
Unterkategorie: Transistors
Technologie: GaN
Transistorart: 2 N-Channel
Typ: Half-Bridge
Gewicht pro Stück: 23 mg
Produkte gefunden:
Um ähnliche Produkte anzuzeigen, wählen Sie mindestens ein Kontrollkästchen aus
Um ähnliche Produkte in dieser Kategorie anzuzeigen, wählen Sie mindestens ein Kontrollkästchen oben aus.
Ausgewählte Attribute: 0

Konformitätscodes
CAHTS:
8541290000
USHTS:
8541290040
JPHTS:
854129000
KRHTS:
8541299000
TARIC:
8541290000
MXHTS:
8541299900
ECCN:
EAR99
Ursprungsklassifikationen
Ursprungsland:
Taiwan
Herstellungsland:
Nicht lieferbar
Land der Verbreitung:
Nicht lieferbar
Zum Zeitpunkt der Lieferung kann sich das Land ändern.